集成电路Cu互连线的XRD研究

绝对优势的择优晶面取向。

3 结论
Cu互连是目前深亚微米集成电路的主流技术。Cu镀层的织构和择优取向与电沉积条件、添加剂、镀层厚度以及衬底等因素密切相关。通过硫酸盐体系电镀获得的Cu镀层，本文用XRD研究了不同条件对Cu镀层性能的影响，以及不同厚度Cu镀层的织构情况。实验结果表明，对于在各种条件下获得的1 μm Cu镀层，均呈现(111)晶面择优，这样的镀层在集成电路Cu互连线中有较好的抗电迁移性能。