采用射频功率MOSFET设计功率放大器

合电容需要承担射频电流，因此需要采用表面积较大的型号。

图4为实际电路布局图，该电路采用双面覆铜板，直接固定在散热器上。线路板背面均为表面贴元件。而开关管则通过板上的矩形孔直接固定在散热器的底面。

　　图5和图6所示分别为C类功率放大器在50MHz频率条件下，增益和效率与输出功率之间的关系图。从图中可知，输出功率为150W时的增益最大，高出设计值约4dB，这主要是因为C类功率放大器工作过程中需要进行压缩，因此实际工作时还是能够满足设计要求的。而最大效率则出现在输入和输出之间实现共扼匹配的时候。

　　在对实际电路进行检验时，将Vdd以5V步长由110V增大到135V，实验结果清楚地显示增益和效率的最佳值出现在125V时。对电路重调后，将电压范围扩大到100V－150V，也能获得满意的效果，但是此时将可能出现峰值效率的情况。如果进一步扩大电压范围，L2和L3的值就需要作相应的改动。

负载冗余测试是在25:1的驻波比条件下进行的。用一根同轴电缆作衰减器，通过调谐电路改变反射系数的相位，结果并未发生不稳定的现象。

3. 结论

前面介绍了50MHz/250W射频功率放大器的设计方法，该方法可以推广到其他高压射频功率放大器的设计过程中。利用APT公司的专用射频功率MOSFET将极大的简化射频功率放大器的设计过程。