反激式电源中MOSFET的箝位电路

如果设计采用外部流限设定，则IP=ILIMITEXT；对于所有其他设计，IP=IILIMITMAX。

4．确定初级MOSFET所允许的总电压，并根据以下公式计算Vmaxclamp。

建议至少应维持低于MOSFET的BVDSS 50V的电压裕量，并另外留出30V到50V的电压裕量，以满足瞬态电压要求。

5．确定箝位电路的电压纹波VDELTA。

6．根据以下公式计算箝位电路的最小电压。

7．根据以下公式计算箝位电路的平均电压Vclamp。

8．根据以下公式计算漏感中储存的能量。

9．根据以下公式估算箝位中的能量耗散Eclamp。

10．根据以下公式计算箝位电阻值。

11．箝位电阻的功率额定值应大于

12．根据以下公式计算箝位电容值。

13．箝位电容的电压额定值应大于1.5*Vmaxclamp。

14．应使用快速或超快恢复二极管，将其用作箝位电路中的阻断二极管。

15．阻断二极管的峰值反向电压应大于1.5*Vmaxclamp。

16．阻断二极管的正向反复峰值电流额定值应大于IP；如果数据手册中未提供该参数，则平均正向电流额定值应大于：0.5*IP。

17．根据以下公式确定阻尼电阻的大小(如使用)。

18．阻尼电阻的功率额定值应大于。

完成初始设计后，应制作一个原型来检验电源性能，因为变压器漏感会因绕组技术的不同而有极大差异。特别是，应当测量平均电压Vclamp，并将之与步骤7中的计算结果进行比较(图5)。如有任何差异，可通过调整Rclamp值来纠正。如果测试结果与预期相差悬殊，则必须重新进行设计。

其他箝位类型及其每个额外元件大小的确定步骤都是一样的。在选择二极管和齐纳稳压管时必须特别注意，以确保不会超过它们的功率额定值。在要求使用齐纳稳压功能的大部分设计中，应使用瞬态电压抑制器来提供所需的瞬时峰值额定功率。

应在电源满载及最低输入电压条件下测量元件体的温度，检验其功率额定值是否正确。如有元件的工作温度超出制造商的建议温度限值，应重新调整其大小，并根据原型结果仔细*估设计。

严格按照《确定箝位大小的设计指南》中的详细步骤进行计算，将会获得高度优化的高效箝位设计。请登录PI电源设计论坛与同行进行交流，您将会获得更多所需信息和问题答案。