栅极驱动变压器和全集成隔离器在隔离直流/直流

另一个系列的隔离器件采用高频射频调制来发送穿过地隔离边界的数字信号[4]。在初级侧，一个700MHz调制信号以键值"开"或"断"代表输入的"1"或"0"。次级侧接收器从初级侧发射器接收这个信号。解调器解码RF信号，通过RF信号的有无状态控制输出状态。生产商称RF开/关键控方案提供了同类最佳的抗干扰度，因为所需状态信息始终在以非常快的速度发送和接收。还有另外一种方案采用了GMR(巨磁阻传感器)感应技术[5]。使用这种方法时，当初级侧输入为"1"，直流电流进入一个微型线圈和一个集中器，产生一个聚焦磁常在次级侧有一个巨磁阻传感器纳米器件，它由采用超薄非导磁中间层的铁磁体合金制成。传感器按照惠斯通电桥配置排列。在磁场中，传感器阻抗改变，从而改变电桥的平衡。次级侧电路测量并调节电桥的输出。厂家宣称目前市场上所有高速数字隔离器件中，因为这种技术采用了巨磁阻传感器，因此拥有最低的EMC噪声特性。

　　所有这些新开发的全集成隔离器都非常实用。在通过隔离边界发送栅极驱动信息时，它们承诺比基于变压器的传统栅极驱动隔离器具有更好的可靠性，同时尺寸也更小。对于任何隔离方案，电源转换器应用都可能相当困难。另外一个必须谨慎对待的问题是dV/dt灵敏度。我们需要从一个地到另一个地快速转换电势，了解在瞬态中和瞬态后隔离器差分输出是否保持状态。

　　电磁灵敏度是另一个需要关心的问题。当遇到外部磁场时，隔离器必须保持在一个合适的状态中。许多新型器件的工作温度都限制在85℃以下，这个温度在某些电源转换器的应用中可能太低。大多数此类新技术都要求在器件的初级侧和次级侧分别提供一个独立的5V偏置。和传统的隔离变压器相比，这可能需要增加支持器件。这些新器件的输入通常针对TTL阈值进行配置，最高支持到5V。一些新型控制器(例如NS的LM5035C)提供0~5V的控制输出，以便直接兼容这种新型隔离器[6]。

　　最近还有许多颇有前景的隔离器技术问世。这些新隔离器技术的内部实际工作原理截然不同，包括隔离器采用的微变压器脉冲、RF键控和巨磁阻传感器也非常不同。因此在采用任何新技术前都必须进行认真的评估，电源变换器的总体性能必然取决于设计方案中最薄弱的器件。