IGBT的基础知识－－IGBT的基本结构，参数选择，使

压的产生，为了防止静电的产生，请先将焊机处于良好的接地状态下。

6)装部件的容器，请选用不带静电的容器。

3.并联问题

用于大容量逆变器等控制大电流场合使用IGBT模块时，可以使用多个器件并联。

并联时，要使每个器件流过均等的电流是非常重要的，如果一旦电流平衡达到破坏，那么电过于集中的那个器件将可能被损坏。
为使并联时电流能平衡，适当改变器件的特性及接线方法。例如。挑选器件的VCE(sat)相同的并联是很重要的。

4.其他注意事项

1)保存半导体原件的场所的温度，温度，应保持在常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5－35℃，常湿的规定为45—75％左右。

2)开、关时的浪涌电压等的测定，请在端子处测定。