片式电容器的一般电性能及参数介绍

电容器的好坏并不能单以电容器的消耗能量的多少来定论，因此，一般用电容器的损耗角正切来表示。电容器的损耗角正切是指在一定频率的正弦电压作用下，消耗在电阻上的有功功率和贮存在电容器中的无功功率的比值。因此，其是一个无单位的量。即：

介质损耗同电容量一样，在实际使用中同温度、工作频率、电容器两端所加的电压有很大的关系。
以1206B472K500NT和1812B223K500NT为例：

图10-介质损耗同温度的关系

图12-介质损耗同频率的关系

电容器的品质因素（Q）和等效串联电阻ESR：
在高频电路中，由于频率较高，电容器所测量出来的介质损耗已经很小,不便于参考。因此，为了更好地了解它的高频特性，我们更关心的是它的品质因素Q值和在高频低下所表现出来的等效串联电阻ESR（Equivalent Series Resistance）。

Q值就是介质损耗DF的倒数。即：Q = 1/DF。随着目前信号使用频率的增高、功率的增加，高Q和超高Q的产品需求越来越多。同样，Q值同ESR有着直接的关系，一般高Q即具备低ESR的特性。
在电容中所有损耗的总合叫做电容的等效串联电阻ESR，一般它用毫欧姆来表示。ESR的损耗由介质损耗(Rsd)和金属损耗(Rsm)两部分组成。ESR = Rsd + Rsm
金属损耗（ Rsm）则取决于电容构造中所有金属性物质的传导特性。这包括内电极，端电极等。
下面以一个容量值为22 pF的电容器所测得几组数据为例：

由上表可知，介质损耗在低频率下是主要的，而在高频时则很小，金属损耗则与之相反。当频率越高时，金属损耗就表现出”趋肤效应”。现列举我们市场上几个产品容量段的Q值。

因此，在设计时，高频下我们应考虑ESR和Q值对电路设计的影响；低频下应考虑损耗(DF)对电路设计的影响。

四、耐电压（DWV）
电容器的耐电压性能就是指电容器的陶瓷介质在工作状态中能够承受的最大电压，即击穿电压，也就是电容器的极限电压。电容器的标称电压即电容器的工作电压，标称电压一般是相对于直流来说的。而电容器的耐电压常规也是相对直流来说的，但有时也常用交流来表示。一般来说，电容器的标称电压远远低于其瓷介的耐电压。因为，在实际的工作过程中，电容器除了两端时时要承受的直流电压外，另外常有脉冲交流电压存在，而这个交流电压的峰值常常远远高出工作过程中的直流电压。因此，我们标称电压远远低于芯片的耐电压。比如，1206B102K101NT其标称电压为100V，也就是其工作直流电压要低于100V，而实际上其耐电压直流可达1200V左右；交流可达500V左右。