常用半导体二极管的主要参数
£ 0.6 | £ 0.6 | £ 0.6 | £ 0.6 | IC=100mA IB=10mA | ||
hFE | 330 | 3 30 | 3 30 | 3 30 | VCE=10V IC=50mA | |
交流参数 | fT(MHz) | 3 150 | 3 150 | 3 300 | 3 300 | VCB=10V IE=50mA f=100MHz RL=5W |
KP(dB) | 3 6 | 3 6 | 3 6 | 3 6 | VCB=–10V IE=50mA f=100MHz | |
Cob(pF) | £ 10 | £ 10 | £ 10 | £ 10 | VCB=10V IE=0 | |
hFE色标分档 | ||||||
管 脚 | ||||||
表21 9011~9018塑封硅三极管的参数
型 号 | (3DG) 9011 | (3CX) 9012 | (3DX) 9013 | (3DG) 9014 | (3CG) 9015 | (3DG) 9016 | (3DG) 9018 | |
极限参数 | PCM(mW) | 200 | 300 | 300 | 300 | 300 | 200 | 200 |
ICM(mA) | 20 | 300 | 300 | 100 | 100 | 25 | 20 | |
BVCBO(V) | 20 | 20 | 20 | 25 | 25 | 25 | 30 | |
BVCEO(V) | 18 | 18 | 18 | 20 | 20 | 20 | 20 | |
BVEBO(V) | 5 | 5 | 5 | 4 | 4 | 4 | 4 | |
直流参数 | ICBO(mA) | 0.01 | 0.5 | 0,5 | 0.05 | 0.05 | 0.05 | 0.05 |
ICEO(mA) | 0.1 | 1 | 1 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | |
IEBO(mA) | 0.01 | 0.5 | 0,5 | 0.05 | 0.05 | 0.05 | 0.05 | |
VCES(V) | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.35 | |
VBES(V) | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | ||
hFE | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | |
交流参数 | fT(MHz) | 100 | 80 | 80 | 500 | 600 | ||
Cob(pF) | 3.5 | 2.5 | 4 | 1.6 | 4 | |||
KP(dB) | 10 | |||||||
hFE色标分档 | ||||||||
管 脚 | ||||||||
表22 常用场效应三极管主要参数
参数名称 | N沟道结型 | MOS型N沟道耗尽型 | |||||
3DJ2 | 3DJ4 | 3DJ6 | 3DJ7 | 3D01 | 3D02 | 3D04 | |
D~H | D~H | D~H | D~H | D~H | D~H | D~H | |
饱和漏源电流IDSS(mA) | 0.3~10 | 0.3~10 | 0.3~10 | 0.35~1.8 | 0.35~10 | 0.35~25 | 0.35~10.5 |
夹断电压VGS(V) | ?1~9? | ?1~9? | ?1~9? | ?1~9? | £?1~9? | £?1~9? | £?1~9? |
正向跨导gm(mV) | >2000 | >2000 | >1000 | >3000 | 31000 | 34000 | 32000 |
最大漏源电压BVDS(V) | >20 | >20 | >20 | >20 | >20 | >12~20 | >20 |
最大耗散功率PDNI(mW) | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 25~100 | 100 |
栅源绝缘电阻rGS(W) | 3108 | 3108 | 3108 | 3108 | 3108 | 3108~109 | 3100 |
管脚 | |||||||
- 用LatticeXP FPGA 桥接吉比特媒体独立接口(01-18)
- 让LM1875声音更靓(02-07)
- 适合LIN总线控制车门区域应用的高级电源管理器件(02-01)
- 现代通信系统电源设计(02-13)
- 便携式应用处理器设计中的电源管理(03-02)
- 利用智能交流电控制增加家电系统的安全性(04-23)
