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常用半导体二极管的主要参数

时间:08-15 来源:互联网 点击:

£ 0.6

£ 0.6

£ 0.6

£ 0.6

IC=100mA IB=10mA

hFE

330

3 30

3 30

3 30

VCE=10V IC=50mA

交流参数

fT(MHz)

3 150

3 150

3 300

3 300

VCB=10V IE=50mA f=100MHz RL=5W

KP(dB)

3 6

3 6

3 6

3 6

VCB=–10V IE=50mA f=100MHz

Cob(pF)

£ 10

£ 10

£ 10

£ 10

VCB=10V IE=0

hFE色标分档

管 脚

表21 9011~9018塑封硅三极管的参数

型 号

(3DG)

9011

(3CX)

9012

(3DX)

9013

(3DG)

9014

(3CG)

9015

(3DG)

9016

(3DG)

9018

极限参数

PCM(mW)

200

300

300

300

300

200

200

ICM(mA)

20

300

300

100

100

25

20

BVCBO(V)

20

20

20

25

25

25

30

BVCEO(V)

18

18

18

20

20

20

20

BVEBO(V)

5

5

5

4

4

4

4

直流参数

ICBO(mA)

0.01

0.5

0,5

0.05

0.05

0.05

0.05

ICEO(mA)

0.1

1

1

0.5

0.5

0.5

0.5

IEBO(mA)

0.01

0.5

0,5

0.05

0.05

0.05

0.05

VCES(V)

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.35

VBES(V)

1

1

1

1

1

1

hFE

30

30

30

30

30

30

30

交流参数

fT(MHz)

100

80

80

500

600

Cob(pF)

3.5

2.5

4

1.6

4

KP(dB)

10

hFE色标分档

管 脚

表22 常用场效应三极管主要参数

参数名称

N沟道结型

MOS型N沟道耗尽型

3DJ2

3DJ4

3DJ6

3DJ7

3D01

3D02

3D04

D~H

D~H

D~H

D~H

D~H

D~H

D~H

饱和漏源电流IDSS(mA)

0.3~10

0.3~10

0.3~10

0.35~1.8

0.35~10

0.35~25

0.35~10.5

夹断电压VGS(V)

?1~9?

?1~9?

?1~9?

?1~9?

£?1~9?

£?1~9?

£?1~9?

正向跨导gm(mV)

>2000

>2000

>1000

>3000

31000

34000

32000

最大漏源电压BVDS(V)

>20

>20

>20

>20

>20

>12~20

>20

最大耗散功率PDNI(mW)

100

100

100

100

100

25~100

100

栅源绝缘电阻rGS(W)

3108

3108

3108

3108

3108

3108~109

3100

管脚

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