微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 硬件设计 > 模拟电路设计 > 电路配置通盘考量应用

电路配置通盘考量应用

时间:11-03 来源:互联网 点击:

有很多电子产品需要扁平(Low-profile)而小型的交流对直流(AC-DC)电源设计,例如平面显示器、机架式电脑设备、电信及航空的底盘安装式设备等。然而,即使对一个相当有经验的电源设计人员来说,要在一个扁平且体积小的器件内实现最大化的AC-DC电源效率,也不是一件容易的事;更何况在给定时间内,这类设备须为负载提供数百瓦的功率,因而带来更大的设计挑战。

举例来说,1U机架式应用中采用的典型12伏特(V)、300瓦(W)电源有尺寸上的限制,最大高度不得超过1.75寸(44.45毫米),并要包含一个或多个风扇以进行强制空气冷却。但对于高度限制小于1U的系统,强制空气冷却也许不可行,这意味着必须采用成本高昂且表面积大的薄型散热器来实现散热管理。因此,最大效率的AC-DC电源设计显得非常重要,因为其对缩小散热器的尺寸与成本、提高设计的整体可靠性有直接影响。

助力AC-DC电源设计 BCM/CCM PFC各有妙用

在大多数功率位准工作的情况下,AC-DC电源需要某些类型的主动式功率因数校正器(PFC)。不过,是否需要PFC,必须取决于几个考量,包括功率位准、终端应用、设备类型和地理位置等;此外,通常还须符合EN6100-3-2或IEEE 519等规范的要求才能决定。

对于AC-DC电源设计,一般会把一个非隔离且离线的升压预调节器(Pre-regulator)当作PFC使用,其中,直流输出电压做为下游隔离直流对直流(DC-DC)转换器的输入。由于这两个转换器是彼此串连的,故总体系统效率ηSYS将是每个转换器效率的乘积:

¨¨¨¨方程式1

由方程式1可见,在选择最佳电源拓扑及两个转换器的控制技术时,必须要谨慎且全面考虑,其中有两种PFC控制技术,第一种具有许多高效特性的系统解决方案是结合交错式双边界导通模式(BCM)PFC,另一种则为连续导通模式(CCM)PFC。

以BCM PFC模式而言,须搭配一个非对称半桥(AHB)隔离式DC-DC转换器,其须用到一个带有自驱动(Self-driven)同步整流器(Synchronous Rectifier, SR)的倍流整流器次级端(Current Doubler Rectifier Secondary)。特别是对于300瓦~1仟瓦(kW)范围的PFC来说,应考虑选择BCM PFC,因为在相似的功率位准下,BCM PFC的效率高于CCM PFC控制技术。其以一种可变频率控制演算法为基础,在这种演算法中,两个PFC升压功率级彼此有同步180度的异相。

此外,由于BCM PFC具备有效的电感涟波电流消除,电磁干扰(EMI)滤波器和PFC输出电容中常见的高峰值电流得以减小,并使输出PFC大电容受益于涟波电流消除,进而让流经等效串连电阻(ESR)的交流RMS电流减小。不仅如此,由于升压金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)在依赖交流线的零电压开关(ZVS)下关断,并在零电流开关(ZCS)下导通,故可进一步提高效率,而对于350瓦的交错式BCM PFC设计,则可去掉MOSFET散热器,如图1所示。

图1 12伏特、300瓦的小型通用AC-DC电源

另一方面,CCM PFC设计中使用的升压MOSFET则易受与频率相关的开关损耗的影响,而开关损耗与输入电流及线电压成比例。藉由在零电流时关断交错式BCM升压二极体,可避免反向恢复损耗,因而可以使用成本低廉的快速恢复整流二极体,而且在某些情况下不须搭载散热器。

不过,对于CCM PFC设计,反向恢复损耗是无可避免的,为解决此一问题,通常会在二极体两端采用RC缓冲器(但这样做会降低效率),或者是采用较高性能的碳化矽二极体(会增加相关成本)。

打造隔离式DC-DC转换器 LLC/AHB拓扑广获青睐

在整个AC-DC电源设计中,隔离式DC-DC转换器设计是一个重要环节,而半桥则是针对此设计一个很好的拓扑选择,因为它有两个互补驱动的初级端MOSFET,且最大汲极源极电压(Drain-to-source Voltage)受限于所加的直流输入电压。其中,半桥拓扑有两种衍生产品,即半桥谐振(LLC)和AHB,两种都已被广为采用,部分原因是因为可取得专用于这些拓扑的功率管理控制IC。

首先,LLC藉由可变频率控制技术,利用与功率级设计相关的寄生元素来实现ZVS切换。不过,由于经调节的直流输出只使用电容滤波,这种拓扑最适合的是输出涟波较低、输出电压较高的应用,对于离线DC-DC应用,一般规则是当输出电压大于12伏特直流电时,最好选择LLC。

另外,对于300瓦、12伏特DC-DC转换器,AHB则成为一种高效率的选择,其采用固定式的频率控制方法,由于初级电流决定于变压器的初级电压,故可为两个初级MOSFET的ZVS提供必要条件。同时,利用AHB实现ZVS能力的前提类似于LLC,也须取决于对电路寄生元素的透彻了解,例如变压器漏电感、绕组电容(Winding Capacitance)和分立式功率器件的结电容等。

运用固定频

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top