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一种低压高频CMOS电流乘法器的设计

时间:03-06 来源:互联网 点击:


2 电路仿真结果
对图2所示乘法器的性能使用Hspice仿真软件进行仿真验证,其中MOS晶体管模型参数由标准的0.35μm CMOS工艺提供。所有NMOS管和PMOS管的阈值电压分别为0.53~0.69 V。MOS管的宽长比设置如下:M1P~M4P,60μm/0.7μm,MIN~M4N,20μm/0.7μm,MC1~MC4,25μm/0.7μm,M5~M8,25μm/0.7μm。电源电压为±1.18 V。图4显示了电流乘法器电路在输入电流IY在-20~20 μA范围内变化时的直流传输特性曲线。在图4中,从右下到右上的5条曲线分别是输入电流IX为-20μA,-10μA,0μA,10μA和20μA时的输出电流Iout随输入电流IY变化的直流传输特性曲线。

图5显示了提出的乘法器电路的频率响应曲线。在仿真过程中,输入电流IX为正弦信号电流,同时输入电流IY保持为10μA。由图5可以看到,电路的电流标准分贝增益随频率变化,所设计的乘法器电路展示出了良好的频率特性,得到的-3 dB带宽为1.741 GHz,远远超过了文献中提到的(413MHz)。这是由于电路中从输入端到地的寄生电容减小的缘故。整个电路的功耗为1.18mW。

3 结语
本文提出了一种低压高频四象限电流乘法器电路。该乘法器电路的优点是电路结构简单而且对称。电路可以工作在高频条件下(f-3dB= 1.741 GHz),整个电路的功耗为1.18mW。

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