场发射显示器

在成本上,根据Canon与Toshiba表示,SED面板的驱动电路材料成本与LCD面板相近，而面板本身的材料成本则与PDP相当，因此整体而言相较LCD与PDP，具有成本上的优势。而在量产初期固定成本较高，不过Canon与Toshiba则计画在2010年以前削减此部分的成本，以与其他技术竞争。

2.奈米碳管场发射在背光模组的发展
近年来由於大尺寸液晶电视的背光模组成本相对较高，阻碍整体成本下降的空间与速度，因此在北光源的开发除了原先的冷阴极灯管之外，发光二极体（LED）、平面光源技术、以及奈米碳管场发射技术等，都开始朝向应用於大尺寸液晶面板来开发。

在奈米碳管场发射背光模组的发展上，目前韩国Samsung Corning、LG Electronics等都有投入开发，而台湾工研院电子所也将原先开发出奈米碳管场发射背光模组样品。而日本日机装株式会社也於2005年1月展示奈米碳管场发射背光模组样品。

日机装与日本Displaytech21公司於2005年1月联合开发出使用奈米碳管的液晶面板背光模组。此次展出的样品画面尺为3寸。技术原理为将涂布有奈米碳管做为阴极的玻璃基板，与涂布萤光材料後形成阳极的玻璃基板，隔开一定的空间重叠起来，将奈米碳管用作电子放射源，将放射出的电子照射击到萤光材料上，就能发出白光。所使用的奈米碳管直径为20NM，为一种在一根奈米碳管中装有外径更小的奈米碳管的多层奈米碳管。开始发光时的电场强度为0.74V/um,比之前一般在1~2V/um左右还低，由於能够降低发光的电场强度，因此就能降低施加在奈米碳管与正电极之间的电压，达到降低耗电量的目的。在做为32寸TFT LCD背光源时，亮度为10.000cd/m2下发光时约为60W，与使用冷阴极灯管（CCFL）与发光二极体（LED）相比，耗电量更低。预计2006年度达到实用水平时，目标是现实亮度30,000cd/m2、寿命50，000小时。在应用上则是以手机和车载终端产品用的中小尺寸液晶面板，将来将计画向大萤幕液晶电视和照明设备等大型产品领域发展。

厂商动态
在场发射显示器的开发上，以日本伊势电子与韩国Samsung投入较早，不过在奈米技术逐渐为厂商重视，投入的厂商也逐渐增多，Sony、日立、富士写真、Canon、松下、Toshiba、Nikon与NEC等厂商也以提出与奈米技术相关的专利申请，其中又以奈米碳管为主要的研发项目。

1、伊势电子
日本伊势电子早在1998年在SID会议展示一款采用奈米碳管材料的场发射显示器，发射电流约为200MA。伊势电子使用化学气相沈积法成功於2001年底制作出14.5寸的彩色奈米碳管场发射显示器，其亮度达10，000cd/m2,并於2002年3月举办的东京国际论坛中展出使用奈米碳管的的40寸宽萤幕场发射显示器，使得伊势电子成为奈米碳管场发射显示器在开支化脚步最快的厂商。

2、Canon/Toshiba
Canon与Toshiba则是利用表面传导发射电子的理论，开发SED.Canon与Toshiba在1999年6月签订契约，共同开发次世代大画面显示技术一{表面传导电子发射击队显示器（Surface-conduction Electron-emitter Display）},主要应用於40寸大尺寸显示器。Canon主要负责电子发射和微型制造两项技术，Toshiba则以CRT与LCD等显示器技术加以延伸发展，并规划大量生产需要的制程技术。
Toshiba在CEATECJAPAN2004展示SED试制品，其黑色亮度为0.004cd/m2(Toshiba测量液晶电视为.7cd/m2),白色亮度为260cd/m2(PDP为0.7cd/m2)(PDP为60cd/m2)，强调SED在对比度的超高性能。
Canon与Toshiba於2004年9月宣布合资理产SED显示器,新公司SED株式会社,从事SED技术研发,生产与销售,於2004年10月开始营运,预计投资183亿美元兴建SED生产线,2007年再投入164亿美元进行大量生产,产品主要应用於32寸以上大尺寸电视,预计2005年8月可望开始小规模量产50寸SED面板,月产量约3,000片,预计2007年将产能扩增至月产75,000片,2008年将产能提升到每年180万片(月产能约15万片),2010年在提升至每年300万片,(月产25万片)的生产规模.
在销售目标上,2007年达到每年300亿日元,2010年达到每年2,000亿日元.

3、双叶电子
日本双叶电子曾於2002年10月成功开发出寸彩色FED面板,并在同一年CEATEC JAPAN 2002展出8项试制品,其显示色彩数为1,670万色,亮度为400cd/m2,耗电量为4W,面板厚度仅为2.8mm.在FED的驱动电路模组,则是与村田制作所合作开发.不过此次展出的FED面板还处於研究开发皆段,尚未决定投产日期.
在2003年2月的NanoTech 2003双叶电子又展示奈米碳管场发射显示器,解析度16x16画素,每个画素尺寸为4mm x 3 mm,画素间隙为2mm,亮度可达1.000cd/m2,阴极电压为200伏特,耗电量为7W.
2004年7月展示4寸至11寸各类型号全彩FED产品,其中4寸(解析度为240X64画素)与4.3寸(解析度240X128画素)产品,特点是亮度高达1.000cd/m2,其他产品规格,5.9QVGA,亮度为800cd/m2,8.0寸WQVGA(解析度480X234画素),亮度为500cd/m2,11.3寸VGA,亮度为350cd/m2.
双叶电子於2004年11月发表FED生产计画,预计生产11寸左右的车用面板,计画投其所好资85亿日元在生产设备,2006年生产线开始架设,2007年开始量产,预计营收为60亿日元.