ITO表面处理方法
污、微观凸起及较浅线条,并具有强化表面的作用。但表面粗糙度仅能在原有基础上略有改善。S。Jung等人发现,通过先抛光后退火对ITO进行预处理,可改善表面粗糙度及氧含量,使用有机层同ITO接触接口更加光滑,OLED器件的发光效率和注入电流均提高了10倍左右,ITO表面的TPD层结晶状况也有所改变。
3.4 紫外臭氧处理
在真空室中安装波长为253.7nm的低压水银灯,将臭氧发生器和光解臭氧的紫外灯管放在内贴反光铝薄膜的圆筒内,以提高光能利用率。将3400V高电压加在臭氧发生器玻璃管外的金属网和管内芯柱所构成的两个放电电极,当真空室通过氧气时,流经金属网的部分氧分子分解成氧原子,并与其它氧分子碰撞产生臭氧分子。通过紫外线直接对有机物作用使有机物分解,这样不仅在表面形成了一层富氧层,而且去除了表面的碳污染。各种表面处理方法的比较如表1所示。
表 1 各种表面处理方法的比较
表面处理方法 | 面阻(Ω/□) | 功函数(eV) | 表面粗糙度(nm) |
未处理 | 16.1 | 4.5 | 2.6 |
机械抛光 | 16.3 | 4.2 | 2.3 |
Ar等离子体 | 16.7/17.3/17.0 | 4.5 | 10.9/15.4/23.0 |
氧等离子体 | 16.4/15.0/16.4 | 4.35/4.75/4.65 | 1.4/1.4/2.1 |
王水 | 18.5/23.5/28.6 | 4.6/4.3/4.7 | 3.8/8.4/8.8 |
王水/氧等离子体 | 27.7 | 4.6 | 6.0 |
氧等离子体/王水 | >30.0 | 4.7 | 1.8 |
HCL | 26.3 | 4.54 | 1.3 |
4 结束语
通过上面的对比发现,使用机械抛光法能得到最光滑的ITO表面,氧等离子体处理能得到功函数最高的ITO表面,UV臭氧处理的ITO表面电阻率最低。只有通过结合使用多种方法才能得到最佳性能的ITO表面。
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