内存条芯片参数

内存条芯片参数

整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下：

1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）

3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V VDDQ=1.8V）

4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）

6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=MT；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））

12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）

13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））

由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。

常见SDRAM 编号识别

维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。
(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下：
▲ HY HYUNDAI ------- 现代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西门子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 东芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 胜创
(2)内存芯片速度编号解释如下:
★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns.
★ –75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns.
★ –8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns.
★ –7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns.
★ –10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns.
(3) 编 号 形 式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示带宽。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.
g表示版本号，B—第三代。
h表示电源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。
ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例：1） HY57V651620B TC-75
按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ

全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾)：

序号 品牌 国家/地区 标识 备注
1 三星 韩国 SAMSUNG
2 现代 韩国 HY
3 乐金 韩国 LGS 已与HY合并
4 迈克龙 美国 MT
5 德州仪器 美国 Ti 已与Micron合并
6 日电 日本 NEC
7 日立 日本 HITACHI
8 冲电气 日本 OKI
9 东芝 日本 TOSHIBA
10 富士通 日本 F
11 西门子 德国 SIEMENS
12 联华 台湾 UMC
13 南亚 台湾 NANYA
14 茂矽 台湾 MOSEI

SAMSUNG内存

体含义解释：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。