微电子所在超高速ADC/DAC芯片研制方面取得突破性
时间:10-09
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近日,中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室(四室)超高速电路课题组在超高速ADC/DAC芯片研制上取得突破性进展,成功研制出8GS/s 4bit ADC和10GS/s 8bit DAC芯片。
ADC芯片采用带插值平均的Flash结构,集成约1250只晶体管。测试结果表明,芯片可以在8GHz时钟频率下稳定工作,最高采样频率可达9GHz。超高速DAC芯片采用基于R-2R的电流开关结构,同时集成了10Gbps自测试码流发生电路,共包含1045只晶体管。测试结果表明,该芯片可以在10GHz时钟频率下正常工作。
超高速ADC/DAC芯片在光通讯及无线宽带通信领域有广阔的应用前景。这两款芯片的研制成功,大大提升了国内单片高速ADC和DAC电路的最高采样频率,也为今后研制更高性能ADC/DAC电路打下了坚实的基础。
![](../img/eep-analog/analog-25709se5s4e3cw0g.jpg)
图1:高速ADC芯片评估板以及芯片照片
![](../img/eep-analog/analog-25710hdogvjz2tq0.jpg)
图2:8GS/s采样率下时钟输出以及D0、D1、D2数据信号眼图实测结果
![](../img/eep-analog/analog-25711hq4moot13gh.jpg)
图3:高速DAC芯片评估板以及芯片照片
![](../img/eep-analog/analog-25712fkrwgtapmr5.jpg)
图4:微分非线性误差(DNL)、积分非线性误差(INL)测试结果
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