流量快速增长，单载波容量逼近极限

VDD网络上的电压下降（IR）和VSS网络上的地线反弹会影响设计的整个时序和功能，如果忽视它们的存在，很可能导致芯片设计的失败。电源网格中的大电流也会引起电迁移（EMI）效应，在芯片的正常寿命时间内会引起电源网格的金属线性能劣化。这些不良效应最终将造成代价不菲的现场故障和严重的产品可靠性问题。

　　电源网格的IR压降和地线反弹

　　引起VDD网络上IR压降的原因是，晶体管或门的工作电流从VDD I/O引脚流出后要经过电源网格的RC网络，从而使到达器件的VDD电压有所下降。地线反弹现象与此类似，电流流回VSS引脚时也要经过RC网络，从而导致到达器件的VSS电压有所上升。更加精细的设计工艺和下一代设计技术使新的设计在IR压降或地线反弹方面要承受更大的风险。电源网格上的IR压降主要影响时序，它会降低门的驱动能力，增加整个路径的时延。一般情况下，供电电压下降5%会使时延增加15%以上。时钟缓冲器的时延会由于IR压降增加1倍以上。当时钟偏移范围在100ps内时，这样的时延增幅将是非常危险的。可以想象一下集中配置的关键路径上发生这种未期而至的延时会出现什么样的情景，显然，设计的性能或功能将变得不可预测。理想情况下，要想提高设计精度，其时序计算必须考虑最坏情况下的IR压降。

　　电源网格分析方法主要有静态和动态两种方法。

　　静态电源网格分析

　　静态电源网格分析法无需额外的电路仿真即能提供全面的覆盖。大多数静态分析法都基于以下一些基本概念：

　　1．提取电源网格的寄生电阻；

　　2．建立电源网格的电阻矩阵；

　　3．计算与电源网格相连的每个电阻或门的平均电流；

　　4．根据晶体管或门的物理位置，将平均电流分配到电阻矩阵中；

　　5．在每个VDD I/O引脚上将VDD源应用到矩阵；

　　6．利用静态矩阵解决方案计算流经电阻矩阵的电流和IR压降。

　　由于静态分析法假设VDD和VSS之间的去耦电容足够滤除IR压降或地线反弹的动态峰值，因此其结果非常接近电源网格上动态转换的效果。

　　静态分析法的主要价值体现在简单和全面覆盖。由于只需要电源网格的寄生电阻，因此提取的工作量非常小。而且每个晶体管或门都提供对电源网格的平均负载，因此该方法能够全面覆盖电源网格，但它的主要挑战在于精度。静态分析法没有考虑本地动态效应和封装传导效应（Ldi/dt），如果电源网格上没有足够的去耦电容，那么这二者都会导致进一步的IR压降和地线反弹。

　　动态电源网格分析

　　动态电源网格分析法不仅要求提取电源网格的寄生电阻，还要求提取寄生电容，并要完成电阻RC矩阵的动态电路仿真。动态电源网格分析法的典型步骤是：

　　1．提取电源网格的寄生电阻和电容；

　　2．提取信号网络的寄生电阻和电容；

　　3．提取设计网表；

　　4．根据提取的寄生电阻、电容值和网表生成电路网表；

　　5．依据仿真向量集执行电路仿真，主要仿真晶体管或门的动态转换以及该转换对电源网格的影响。

　　动态分析法的主要价值体现在它的精度。由于分析的依据是电路仿真，IR压降和地线反弹结果将是非常精确的，并考虑了本地动态效应和封装传导效应。

　　但动态分析法面临的挑战也是十分艰巨的，原因在于：

　　1. 寄生提取要求非常高，因为需要提取电源网格的电阻和电容以及（至少）信号网络的电容。

　　2. 电路仿真的对象非常多，会使电路仿真引擎满负荷工作。

　　3. 用作激励信号的向量集在决定输出质量时起着重要的作用。如果没有采用完整的测试向量集，那么结果将是令人怀疑的，因为电源网格的某些部分可能没有被仿真到。

　　4. 最后，由于单个电源网格就有如此多的考虑因素，基于全面动态仿真的电源网格分析法将难以适应设计规模的进一步增加。

　　许多追求动态效应的电源网格分析法必须求助于RC压缩技术才能管理大量的仿真数据，然而这样做与动态分析法的主要价值－高精度是互相矛盾的。电源网格的RC压缩化会导致分析结果的精度下降，甚至会掩盖真正的EMI问题。

　　电迁移和全芯片EMI分析

　　电源网格的电迁移是由流经金属线与通孔的平均电流引起的一种直流现象。这是深亚微米电源网格设计中出现的另外一种重要问题。大电流密度与窄线宽会引起EMI，而由EMI造成的故障可能是灾难性的。这些故障一般都发生在用户那儿，此时芯片早已安装在系统中的基板上了，如果真的出问题，就可能会导致设计被召回。

　　虽然EMI可能会造成电源网格中的电路开路或短路，但最常见的影响还是电源网格路径中电阻值的增加，由此引起IR压降或地线反弹，从而影响到芯片的时序。这也是一个设计为什么最初工作正常且符合规范，但后来发生故障的原因所在。EMI设计的指导性依据是平均电流水平，其实最终还是取决于信号线电容。