半导体照明光源技术问题大讨论(一)
一、实现高显色性
白光LED的光色质量内容很多,包括色温、显色性、光色保真度、光色自然度、色调识别度、视觉舒适度等[3]。美国SSL计划提出,LED照明产品的光谱 分布要达到类似太阳光的光谱分布。要达到上述这些要求是很难的,要做很多基础研究工作,将来一定会实现。这里只讨论目前急需解决的色温和显色性问题。美国 能源之星标准规定,室内照明的显色指数CRI≥80,但在一些高端的应用场合要求CRI≥90。制作高显色性LED光源,会损失较多的光效,所以在设计时 要照顾这两方面因素。
在此有必要说明一下有关显色指数CRI的评价问题[4],CIE(TC1-62)技术报告177的结论:“CIE的CRI不适合用于表示白光LED光源的 显色范围”。现在有很多种针对CRI定标提出的修正办法,如CQS色品质度、GAI全色域指数、RF夫勒特利指数、CPI颜色偏爱指数、CDI色分辨指数 等,目前CIE要采用哪一种修正尚未定论。美国NIST(国家标准研究院)提出采用CQS来评价光源颜色的质量,将测试样品扩大到15种,包含部分高色饱 和度的样品,这样就好得多,很多人给予认同。要提高显色性,原则上要考虑RGB三基色组合来实现,目前有三种办法。
(1)多基色荧光粉
LED光源采用LED蓝光芯片加铝酸盐黄粉和氮化物红粉、绿粉组合成LED白光,其显色指数CRI可达80~90。据有关报道,如采用RGBY荧光粉有效组合,其CRI可达98。
(2)RGB多芯片组合
采用RGB多芯片有效组合的LED白光,显色指数CRI也可达80~90,可能由于驱动方式和成本等因素,目前较少应用。
(3)荧光粉加芯片
LED光源采用蓝光芯片加铝酸盐黄粉加红色芯片,有效组合LED白光,其显色指数可达80以上,光效较高,成本尚可,是目前普遍采用的组合方式。
二、如何实现高光效
半导体照明的光效,或者说能效,是节能效果的重要指标。目前LED器件光效产业化水平可达120~140lm/W,作成照明灯具总的能效可大于100lm /W。这还是不高,节能效果不明显,离半导体器件光效理论值250lm/W还有很大距离。真正要做到高光效,要从产业链各个环节上解决相关的技术问题,主 要是提高内量子效率、外量子效率、封装出光效率和灯具效率,本文将针对外延、芯片,封装,灯具等几个环节要解决的技术问题探讨。
1.提高内量子效率和外量子效率
主要采取以下几点措施来提高内量子效率和外量子效率。
(1)衬底表面粗化及非极性衬底
采用纳米级图型衬底、“取向型”图型衬底或非极性、半极性衬底生长GaN,减少位错和缺陷密度及极性场影响,提高内量子效率[1]。
(2)广义同质衬底
采用HVPE(氢化物液相外延)在Al2O3蓝宝石衬底上生长GaN,作为混合同质衬底GaN/Al2O3,在此基础上外延生长GaN,可极大地降低位错密度达106~107cm-2,并较大地提高内量子效率。日亚、Cree及我国北大均在研发之中[2]。
(3)改进量子阱结构
控制In组分的变化方式和变化量、优化量子阱结构提高电子和空穴交叠几率,增加幅射复合几率以及调节非平衡载流子的输运等,提高内量子效率。
(4)采用新结构的芯片
采用新结构要求芯片六面出光,在芯片界面上采用新技术进行多种表面粗化方式,减少光子在芯片界面上反射几率,并增加表面透光率,以提高芯片的外量子效率。
2.提高封装出光效率及降低结温
(1)荧光粉效率及涂覆工艺
荧光粉的光激发效率目前还不高,黄粉可达70%左右,红粉和绿粉的效率较低,有待进一步提高。另外,荧光粉的涂覆工艺非常重要,有报道称在芯片表面均匀涂复60微米厚度的荧光粉,激发效率较高。
(2)COB封装
当前半导体照明的光源采用各种形式COB封装,提高COB封装的出光效率是当务之急,有报道称,采用第二代(有的称第三代)COB矩阵式结构封装,其光效可达120lm/W以上。如果采用倒装芯片和六面发光体进行全反射的结构,光效可达160lm/W以上。
(3)降低结温
据有关报道
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