垂直分工体系成形　MEMS封装加速迈向标准化

ject Wafer）结合，相较独立研发而言，可发展出更多应用与技术。

　　目前两家主要MEMS晶圆代工业者都将目标放在客户寻求的矽穿孔（TSV）平台上，以满足MEMS业者对小尺寸封装的殷切需求。Silex Microsystems长期以来提供TSV模组给客户，而Teledyne DALSA为MEMS晶圆厂客户，也在晶圆层级MEMS连结ASIC方面，开发低成本Wet-plated Copper TSV平台。Teledyne DALSA使用授权的Alchimer电镀制程技术，在同一个制程模组整合导孔隔离（Via Isolation）及填充，以达到更佳的成本效率，并与该公司合作开发量产。

　　意法半导体（ST）则以更独特的方式，自行在MEMS晶片上制造TSV，并将晶片附着在主机板上。此方法藉由蚀刻空气间隙，消除接合焊盘所需的空间，以隔离的多晶矽导孔取代，虽用基本MEMS制程，但必须在大约十倍的尺寸上进行，才能以打线接合或覆晶方式附着于ASIC。如此一来，晶片尺寸可较温和增加成本的TSV制程减少20～30%，总成本较低。该公司目前以此技术量产加速度计，并表示接下来将导入陀螺仪，甚至用于更小的多晶片模组。

　　同时，Bosch Sensortec及Murata/VTI也运用自己的技术，但封装基础架构则利用外包形式。Bosch Sensortec采取相对传统的焊接凸块方式连接MEMS和ASIC。Murata以矽晶中介层、蚀刻导孔周围的矩阵覆盖MEMS惯性感测器，并以硼矽玻璃填充，然后覆晶于打薄的ASIC上，在其四周加上较大的焊接球，将整层装上主机板。

　　至于中介层部分则可由其MEMS晶圆厂或工程基板供应商如PlanOptik制造，凸块则由ASIC供应厂或凸块转包商负责，而最后可能在马来西亚的Unisem将晶片接合到晶圆、进行装球及底部填充。

　　显而易见，MEMS标准封装技术，以及垂直分工的生态系统正快速崛起，将为往后的MEMS产业带来全新的样貌。