微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 硬件设计 > 模拟电路设计 > 最详尽32位MCU低功耗设计考量与经典范例参考(三)

最详尽32位MCU低功耗设计考量与经典范例参考(三)

时间:12-14 来源:互联网 点击:

电源系统的考量

  在多电源系统的应用上,必须考虑低功耗 MCU 的内部电源规划或自动切换,以下以市电/备用电池双电源系统及内建 USB 介面,但平常由电池供电的行动装置来举例说明。

  市电/备用电池双电源系统:MCU 平常由市电经由交直流转换电路供电,当市电断电时,经由连接在备用电源的独立供电管脚进行供电,同时在 MCU 内部进行电源切割,并提供一个可靠的备用电源自动切换开关,确保市电正常供电时备用电池不会持续被消耗。但仔细考虑,其实有两种状况可能发生,一种是备用电池仅供电给部分低耗电的周边电路,例如 32.768K 晶振、RTC 时钟电路、资料备份寄存器等。当市电来时 MCU 将重新启动。另外一种状况是当市电断电时,有可能 MCU 及部分周边电路会被唤醒工作,然后再次进入待机模式。智慧型电表就是此类应用的典型代表。在此种应用中,备用电池需要供电给整颗 MCU,所以电源自动切换开关必须能承受更高的电流,相对成本也较高。

  内建 USB 介面行动装置:此类装置平时由两节电池供电或锂电池供电,工作电压可能为 2.2V 到 3V,当连接到 USB 时,USB介面转由 VBUS 供电。此类低功耗 MCU 如果没有内建 5V 转 3V 的 USB 介面 LDO将会产生下列问题,当连接 USB 时必须由外挂的 LDO 将 USB VBUS 的 5V 电源转换为 3V 电源同时提供给 MCU VDD及 USB 介面电路,但又必须避免 LDO 输出的 3V 电源与离线操作时的电池电源发生冲突,将会需要外加电源管理电路,增加系统成本及复杂度。

  丰富的唤醒机制及快速唤醒时间

  有许多的系统应用场合,需要由外部的单一讯号、键盘或甚至串列通讯信号来激发 MCU 启动整体系统的运作。在未被激发的时候,微控器或甚至大部分的整机需要处于最低耗电的待机状态,以延长电池的寿命。能够在各式需求下被唤醒,也成为微控器的重要特征。MCU 能拥有各式不同的唤醒方式,包括各I/O 可作为激发唤醒的通道,或是由I2C、UART、SPI的通道作为被外界元件触发唤醒,或使用内、外部的超低耗电时钟源,透过 Timer 来计时唤醒。诸多的唤醒机制,只要运用得当,并配合微控器的低耗电操作切换模式,可以使 MCU 几乎时时处于极低功耗的状况。

  配有快速、高效率内核的 MCU,可以在每次唤醒的当下短暂时间里,完成应有的运作与反应,并再次进入深层的低待机模式,以此达到平均耗能下降的目的。但是,如果唤醒后开始执行微指令的时间因为某些因素而拖延的很长,将会使降低总体耗电的目标大打折扣,甚至达不到系统反应的要求。因此,有些 MCU,配合起振时间的改进,逻辑设计的配合,使得唤醒后执行指令的时间至少降到数个微秒之内。

  低功耗类比周边及存储器

  低功耗 MCU 在运行时除了 CPU 内核及被致能的数字周边电路在工作外,越来越多被整合到内部的类比周边电路也是耗电的主要来源。以最简单的 while (1); 执行序来分析运行功耗,共包含下列耗电来源: CPU 内核、时钟振荡器、嵌入式闪存、及LDO 本身的消耗电流。代入以下典型值数据将会更清楚显示各个部分对耗电的影响:

  运行频率 12MHz,MCU 电压 3V,LDO 输出 1.8V 供给 CPU 内核、记忆体及其他数字电路

  低功耗Cortex-M0内核:600 μA

  嵌入式闪存:1.5 mA

  低功耗12MHz 晶震电路:230 μA

  LDO本身的静态消耗电流:70 μA

  总和=0.6+2+0.23+0.07=2.4 mA,平均功耗约 200μA/MHz

  其中耗电比例最高的是嵌入式闪存。如果要运行在更高频率,通常会启动内建的 PLL 提供更高频率的时钟源,在 1.8V 供电的典型 PLL,12MHz 输入输出 48 MHz工作电流约为 1 ~ 2mA,如果不能有效降低 PLL 耗电,对高频工作的低 功耗 MCU 将是一大电流负担。

  LDO 的最低静态功耗、32.768 kHz 晶振电路、BOD 及 TN LCD 驱动电路的工作电流,都会大大影响到待机或 RTC 模式的功耗指标。以低功耗应用的热能表为例,RTC 加 LCD 显示的功耗要求在 3V/8μA 以下,这代表可以预估分配给下列电路的电流预算为:LDO静态功耗 0.5μA + 32.768 kHz 晶振及RTC电路 1μA + BOD 1μA + TN LCD 驱动 4μA + LCD 玻璃 1μA + 所有数位电路及类比周边漏电流 0.5μA。这些类比周边除了低耗电要求,同时必须兼具要求批量生产及温度变化时的一致性,这对类比设计人员将是一大挑战。

  快速唤醒这个性能指标也会影响到下列类比周边的稳定时间。当 MCU 从低耗电的待机模式唤醒时,首先要将 LDO 快速切换到高供电模式,启动内部高速 RC 震荡器,使能嵌入式快闪记忆体及 CPU,以上所有电路的稳定时间总和必须在数个微秒内完成,才能符合快速唤醒的需求。

另外一个容易被忽略的设

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top