一种2.65GHz高效电流模式D类功效放大器设计
引言
功率放大器(PA)的效率是整个无线通讯系统效率最重要的影响因素,传统的线性PA(包括A类,B类,AB类和C类)具有良好的线性度,但效率却非常低,造成了大量的能量损耗,这不仅增加了无线通讯系统的成本,并且给整个系统的散热带来了巨大的困难;而开关类功率放大器(SMPA)由于具有很高的效率,已经成为无线通讯行业的研究焦点。
在SMPA中,驱动电压幅度足够强(过驱动),使得输出晶体管相当于受控的开关,在完全导通(晶体管工作于线性区)和完全截止(晶体管工作于截止区)之间瞬时切换,在理想情况下,开关上的电压和电流没有交叠,可以达到100%的效率[1]。然而在实际电路中,由于寄生阻抗和有限的开关速度,晶体管并不是一个理想的开关,SMPA的效率会随着频率的增加而快速地下降。D类PA作为最早被报道的SMPA已经广泛地应用于音频领域。传统的VMCD PA在每个信号周期内,晶体管漏极电容(Cds)的放电会造成了1/2CV2的能量损耗(V为晶体管导通瞬间时的初始漏极电压)[2-3],频率越高,其造成的能量损耗越大,因此传统的VMCD PA在高频时无法实现较高的效率,其很少应用在射频领域。E类PA通过实现零电压开关很好地解决了这个问题,在开关导通的瞬间,晶体管上的电压为零从而避免了电容放电造成的能量损耗[4]。然而不确定的占空比、非线性的电容和其他的寄生阻抗都会降低E类PA的效率。
CMCD PA的出现提供了另一种实现零电压开关的方法,其漏极电压为半正弦波,在晶体管导通和关闭的瞬间,晶体管上的电压为零,避免了漏极电容放电造成的能量损耗。CMCD PA的出现使高频D类PA的实现成为可能,近些年许多高效率的射频CMCD PA被报道出来[5-8],其中频率最高的达到了2.6GHz[7]。本文设计了一个工作在2.65GHz的高效CMCD PA,其EM仿真功率附加效率(PAE)达到了73%,输出功率在10W以上。
1 D类 PA基本原理
图1(a)所示是VMCD PA 的基本结构,两个晶体管偏置于近似B类的工作状态且输入信号相位相差为180°,因此两个晶体管各导通半个周期。晶体管输出端接一个串联的LC滤波器,其谐振频率为信号的中心频率。串联LC滤波器使得PA的输出电流为标准正弦波形,图1(b)所示是VMCD PA的理想电压电流波形,每个晶体管的漏极电流为半正弦波,漏极电压为方波,晶体管的漏极电流电压波形不存在交叠,其效率为100%。实际电路中,晶体管的输出电容Cds的放电会对漏电压产生影响,使其无法成为标准的方波。在每个信号周期内电容放电造成的能量损耗为1/2CV2,频率越高,能量损耗越高,因此VMCD PA在音频频段内较为流行,在射频领域则很难保证高效率。
图2(a)为CMCD PA的电路原理图,这里将串联LC滤波器换为并联LC滤波器,并联LC滤波器使得输出电压为标准的正弦波,图2(b)为晶体管理想的电流和电压波形,每个晶体管的漏极电压为半正弦波,漏极电流为方波,晶体管的漏极电流电压不存在交叠,其效率为100%。
相比VMCD PA,在开关导通和关闭的瞬间,CMCD PA晶体管两端电压为零,避免了漏极电容放电所造成的能量损耗,实现了零电压开关,同时晶体管的漏极寄生电容,也可看作是并联谐振器的一部分,从而减少了晶体管寄生电容对效率的影响。在高频率时,CMCD PA相比VMCD PA具有更高的效率,并且VMCD PA通常需要辅助器件或者抽头式变压器才能正常工作,而CMCD PA可以通过巴伦结构实现。CMCD PA的出现使高频D类PA的实现成为可能。
通过上述分析,我们发现CMCD PA晶体管的漏极电流电压波形与F-1类PA一致,因此我们也可以将CMCD PA看作两个push-pull结构的F-1类PA[8]。F-1类PA使用输出滤波器对晶体管漏端电压和电流中的谐波成分进行控制,归整晶体管漏端的电压波形或者电流波形,使得它们没有重叠区,减小开关损耗,提高PA的效率[1]。理想状态下,F-1类PA晶体管漏极电压波中只含基波分量和偶次谐波分量,电流波只含基波分量和奇次谐波分量,漏极谐波输出阻抗需要满足如下关系式:
其中,Z1为输出电路基频阻抗,Zn为输出电路n次谐波阻抗,Zopt为基频最佳输出阻抗。在设计CMCD PA时我们可以借鉴F-1类PA的设计方法,通过谐波匹配电路实现上述输出阻抗,从而调节晶体管的漏极电压和电流波形,提高CMCD PA的效率。
2 CMCD PA电路设计与仿真
针对上述理论分析,我们采用Cree公司的GaN HEMT晶体管CGH40006P设计了一种新型高效CMCD PA。GaN HEMT晶体管因为具有高电子迁移率、高功率密度、高击穿电压等特性,已经被广泛应用在高效率、高功率射频PA中。
CMCD PA 需要在输入端和输出端实现平衡和非平衡信号的转换,因此需要选
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