运放电源去耦旁路措施

本文介绍了运放电源的去耦旁路电容的接法。

每个集成运放的电源引线，一般都应采用去耦旁路措施，即从电源引线端到地跨接一个高性能的电容，如图所示。图中的高频旁路电容，通常可选用高频性能优良的陶瓷电容，其值约为0.1μF。或采用lμF的钽电容。这些电容的内电感值都较小。在运放的高速应用时，旁路电容C1和C2应接到集成运放的电源引脚上，引线尽量短，这样可以形成低电感接地回路。当所使用的放大器的增益带宽乘积大于10MHz时，应采用更严格的高频旁路措施，此时应选用射频旁路电容，如0.1μF圆片陶瓷电容，同时每个印刷板或每4～5个集成芯片再增加一对(C1和C2)钽电容。对于通用集成芯片，对旁路的要求不高，但也不能忽视，通常最好每4～5个器件加一套旁路电容。不论所用集成电路器件有多少，每个印刷板都要至少加一套旁路电容。

电路具体处理

我们可以在电路中数数有多少个芯片有几个电源端(正负电源)，在每个电源端都接一个去耦电容到地端。有时在电路图上可以看到下图所示的这样，电源连了很多电容到地端，其实这些就是去耦电容，在布PCB时，要在芯片电源端就近布置这些去耦电容，而不应该把去耦电容在电源部分都布了，这样的话就起不到去耦的作用。