一文解读：看IC芯片制造见证10nm工艺兴起

早在5月份，ARM已经宣布，已经与台积电合作完成了全球第一个基于10nm工艺的芯片的流片工作，使用了尚未宣布的顶级新架构“Artemis”。这颗测试芯片将是ARM、台积电共同的测试平台，用来调试相关工具和制造工艺，从而在性能、功耗、面积方面获得最优成果。

芯片内集成了四个Artemis CPU核心，频率有1.82/2.34/2.49/2.7GHz等不同档次，同时还有当代Mali GPU，但只有一个核心，因为只是用来展示效果而已。当然了，芯片内还有其他各种IP模块、IO接口，用来检验新工艺。

　　英特尔：试产10nm工艺Cannonlake处理器 提升50%

据可靠消息，Intel已经开始了10nm的试产工作，而且将改造一批10nm工艺的制造厂，这笔支出已经在日前发布二季度财报和三季度展望时纳入。巨头表示，14nm的先进内部工艺、技术积累将延续到10nm家族。资料显示，对比三星和台积电，Intel 14nm FinFET演进到了第三代，在栅极间距、内部互联最小间距、SRAM(静态随机存储单元)、晶体管高度上都有着精细的优势。

10nm处理器的家族代号是Cannonlake，根据传言，Intel希望能为其带来相较14nm 50%的提升。采用10nm工艺制程的Cannonlake架构处理器将于2016年第三季度发布。10nm之后，Intel、三星、台积电、GlobalFoundries等等都在推进7nm和5nm工艺。