模拟电子技术重难点盘点

值，不仅在这里应用在

高频特性分析中，由于密勒效应而引出密勒电容一词。在由集成运放组成的积分与微分电路中，也可用密勒定理来解释电路时间常数的扩大与缩小。

5、在介绍射极偏置电路之后，可以顺便引出恒流源，它作为一种电路组成单元，不仅在分立元件电路中常见，在模拟集成电路中使用更为普遍。

6、对于共集电极电路，除讲基本电路外，最好能介绍一下复合自举跟随器，复合管的概念，在功放及电源中要用到;自举的概念也常用于许多实际的电路。

二、场效应管放大器

场效应管是一种单极型器件。这部分内容可以重上讨话结型场效应管及其放大电路，绝缘栅型管及其放大电路可与型场效应管及其放大电路类比研究。

结型场效应管是以PN结为基础的场效应器件。要熟悉它的简单结构和工作原理、特性曲线、主要参数和使用注意点。

对于场效应管放大器，主要讲清偏压电路及其交流放大实质(输入电压对输出电流的控制)。由于器件特性的分散性，在分析表态工作点时，可偏重于公式

计算法。在分析它的放大倍数等指标时，则用微变等效电路法。

三、频率特性与多级放大器

1、这部分内容，首先要明确研究放大器频率特性的实际背景，目的、意义，并讲清基本概念，使学生从物理概念理解隔直电容和射极旁路电容对电路低频特

性的影响，结电容(扩散电容和势垒电容的总称)和接线电容对电路高频特性的影响。

2、为了简明起见，可以通过RC高通和RC低通电路，讨论频率特性的近似分析方法——波特图法。然后，把阻容耦合放大器简化为高通电路和低通电路来分析。

3、当讨论共射电路低频特性时，对低频特性的影响可由输出(发射极旁路电容在输出回路基本上不存在折算的问题、且发射极旁路电容一般远大于输出耦合电容，故发射极旁路电容在输出回路对低频特性的影响可忽略)、输入回路的时间常数确定(至于发射极旁路电容对低频特性的影响，可把发射极旁路电容折合到基极电路来处理，由输入回路的时间常数确定)，若输入回路与输出回路决定的下限截止彼此相差在四倍以上，则将其中较大者作为放大器的下限频率。

4、讨论电路高频特性时，重点讨论混合∏型等效电路和三极管的高频参数。

5、单级放大器的瞬态特性可以不作要求。

6、RC耦合多级放大器主要计算其电压放大倍数，在计算过程中，要注意级间的相互影响，要让学生掌握一种重要关系，即前级的输出电阻就是后级信号源的内阻，而后级的输入电阻就是前级的负载。对多级放大器的频率响应，能定性地了解级数愈多频带愈窄即可。

四、反馈放大器与正弦波振荡器

反馈是电子技术中的重点和难点内容。

1、首先，通过射极偏置放大电路建立反馈的概念(实际上，在第一章讨论工作点稳定时，即开始引入反馈的概念)，然后从这个特例抽象为一般方框图，

从而导出放大倍数的一般表达式。能利用瞬时极性法判别正、负反馈及四种类型的反馈电路及其特点，能解释负反馈对放大器性能的影响。

2、由于工程实际中，负反馈放大器通常满足深度负反馈条件，故关于负反馈放大器放大倍数的定量分析，以在深度负反馈条件下，进行近似估算为主。

3、负反馈放大器的方框图分析法，一般作为加深加宽的内容，这部分内容可以不讲。

4、关于负反馈放大器的稳定问题，首先可介绍产生自激的原因，自激振荡的条件，然后用定性的概念介绍消除自激振荡的方法。如在放大器的级间基极到地或在三极管的集电极——基极间接入小电容C或接入RC串联电路，主要从破坏振荡条件来解释。这部分内容也可作为自学处理。

5、正弦波振荡器以阐明产生振荡的原理为主，重点掌握振荡器的相位平衡和振幅平衡条件。对于RC和LC振荡器，可选一种(如RC桥式电路)为重点，其他类型可略作介绍。这部分主要要求学生弄清电路的组成，掌握正确判断正反馈的方法及振荡频率的计算。

五、功率放大器

本章的主线是功率、效率和非线性失真三方面的问题。三者之间是有矛盾的，要通过具体电路来阐明解决矛盾的思路与措施。要熟悉放大器的三种工作状态——甲类、乙类和甲乙类的工作特点。互补对称功率放大电路是本章的重点内容，在射极输出器的基础上进行与定量的分析。复合互补对称功率放大电路作为加深加宽的内容(复合管的概念在复合射极输出器中介绍，不能两处落空)。

六、集成运算放大器及其应用

本章是模拟电子技术的重点内容和发展方向。

1、首先，通过理想运算放大器来建立基本概念。要从工程实际出发，提出多级直接耦合放大器输出电压的随机波动性，由此引出零点漂移的概念，以及抑制零点漂浮移的措施。

2、差动式放大器是多