氮化镓功率技术大热，Transphorm创新HEMT结构“剑走偏锋”高压器件

现场展示的基于HEMT器件的电源模块方案与业界竞争解决方案的对比

在演讲现场，富士通电子展示了两款基于HEMT器件的电源模块方案。"我们的PFC+LLC电源与类似的竞争方案相比，电路板尺寸可以缩减45%，在满载和10%的负载下，我们可以分别提高1.7%和3%的效率。对于很多效率要求苛刻的应用来说，这是一个非常大的提升。"Eric指出。

严格的JEDEC认证保证创新结构安全性
"尽管性能参数很不错，但作为系统的‘心脏’，电源模块的设计工程师通常还是很谨慎的，到底怎么保证你这个结构的产品可靠性呢？"在听完Eric的介绍后，现场与会工程师对HEMT氮化镓产品的性能产生了极高的关注，但也有部分人提出类似的顾虑。"这确实是个很重要的问题，但工程师可以非常放心选择HEMT功率解决方案，我们600V的氮化镓产品是第一个也是目前唯一一个通过JEDEC业界认证的氮化镓产品。"Eric介绍道。

独特的性能优势、更小的电路板尺寸受到与会者的关注

据Eric介绍，要通过这个认证，需要通过一系列的严格测试，比如高、低温测试、高湿测试。每个测试项要经过77个产品的检测，放在三个不同的地方做这些不同的测试，而且必须是全部231颗芯片完全没有问题才能通过该认证。"可靠性是电源工程师非常重要的指标。我们做了那么多实验都完全没有问题，所以我们产品的可靠性也获得了全球客户的信赖。"Eric对现场工程师和媒体表示。

事实上，Transphorm已经实施了美国最先进的质量管理体系，并通过了ISO 9001：2008认证，所有产品均符合JEDEC标准 JESD47。作为唯一一家通过JEDEC认证的氮化镓产品，Transphorm展示了高电压GaN功率器件固有的生命周期性能，电场和温度加速测试已经证明了在600V（HVOS测试超过1,000伏，150°C）条件下超过1,000万个小时的续航时间，以及在200°C的结温条件下，超过1,000万小时的寿命。

兼顾高压与低压，技术创新进行时

Transphorm依据基本发展路线图进行开发，首先是合格的600 V器件和1000V器件。Transphorm的研究和开发还在继续，现在推出了600V的扩展系列，采用更低的R（ON）设备和高功率封装（含模块），然后是继150V器件之后的1200 V器件。据Eric透露，今年会推出900V和1200V的产品，低压方面会提供150V的产品。据悉，未来Transphorm还将推出代替Cascode的E-Mode创新结构技术，将会把当前结构中存在的不利因素解决掉，实现更卓越的功率器件性能。将提供更大功率的产品，从2014年推出第一颗TO240，电流从30、40，逐步往60、70、80的方向发展。