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Qorvo:关于氮化镓的十个重要事实

时间:04-11 来源:EDN China 点击:

从下一代的国防和航天应用,到有线电视、VSAT、点对点(PtP)、基站基础设施,Qorvo的GaN(氮化镓)产品和技术为您身边的各种系统提供领先的 性能支持,让您能够随时联网并受到保护。这些领先性能包括:高功率密度、宽频性能、高功率处理……阅读下面的"氮化镓的十个重要事实",真正了解这个在我 们的工作和生活中发挥重要作用的关键技术。

关于氮化镓的十个重要事实:

一、氮化镓器件提供的功率密度比砷化镓器件高十倍。由于氮化镓器件的功率密度较高,因此可以提供更大的带宽、更高的放大器增益,并且由于器件尺寸的减少,还可提高效率。

二、氮化镓场效应管器件的工作电压比同类砷化镓器件高五倍。由于氮化镓场效应管器件可在更高电压下工作,因此在窄带放大器设计上,设计人员可以更加方便地实施阻抗匹配。所谓 "阻抗匹配",是指在负载的输入阻抗设计上,使得从器件到负载的功率传输最大化。

三、氮化镓场效应管器件提供的电流比砷化镓场效应管高二倍。由于氮化镓场效应管器件提供的电流比砷化镓场效应器件高二倍,因此氮化镓场效应器件的本征带宽能力更高。

四、氮化镓在器件层面的热通量比太阳表面的热通量还要高五倍! "热通量" 是单位面积的热量输送率。由于氮化镓是高功率密度器件,因此它在非常狭小的空间内散发热量,形成高热通量。这也是氮化镓器件的热设计如此重要的原因。

五、碳化硅的导热性是砷化镓的六倍,是硅的三倍。碳化硅具有高导热性,这使它成为高功率密度射频应用的首选衬底。

六、氮化镓的化学键强度是砷化镓化学键的三倍。因此,氮化镓的能隙更大,能够支持更高的电场和更高的工作电压。

七、氮化镓-氮化铝镓结构的压电性是砷化镓-砷化铝镓结构的五倍。我们知道压电性在氮化镓中很重要。由于氮化镓-氮化铝镓结构具有较高的压电性,因此电气和物理属性之间是相关的。

八、碳化硅基氮化镓材料的晶格错位密度约为砷化镓的10,000倍。因此,与同类砷化镓器件相比,栅极电流往往较高,需要电路设计人员的额外注意。

九、氮化镓-氮化铝的应力是砷化镓-砷化铝的20 倍。由于氮化镓-氮化铝的应变性高于同类砷化镓-砷化铝系统,因此所有层面进行应力分析很重要。

十、TriQuint 的氮化镓器件在200 摄氏度下工作100 万小时,失效率低于0.002%。

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