快速恢复二极管打火问题的优化设计

而发生打火现象。深圳辰达行电子有限公司是集生产与销售MDD品牌二极管的企业，在二、三极管，桥堆领域为您服务。公司专业生产普通整流二极管（STD系列）开关二极管（DO-34、DO-35封装）、快速恢复二极管（FR）高效率二极管（HER、UF）超快速二极管（SF）肖特基二极管（SKY）双向触发管二极管（DB3）整流桥二极管（BRIDGE）高反压二极管（H.V.）以及瞬间突波电压吸收二极管（TVS）稳压二极管（ZENER）等各种系列多种封装形式的二极管,并大量生产SMA|SMB|SMC|SOD-123FL|SOD-123|SOD-323系列片状二极管和MBS|TBS|MBF|LBS|ABS整流桥,并以高位品质和较低成本,形成了竞争优势.

　　图7：FRD 原版结构

　　图8 FRD原版模拟结果电势分布图

　　图9 FRD原版模拟结果表面电场分布图

4.3 新设计模拟

　　由以上分析认为，圆片测试打火的主要原因在金属场板和截止环金属之间电势较大，引起金属间打火，下一步主要从考虑降低两者之间的电势，减小金属场板处的表面电场出发，进行了以下模拟。

　　4.3.1增加两个环

　　考虑在金属场板前再增加两个场限环，使得前面的分压增加，以减少金属之间的电势差，模拟结果如下，FRD击穿电压没有改变，仍旧在1500V,金属场板和截止环之间的电势从800V降到约500V,表面电场从2.6E5V/cm降低到1.7E5V/cm。

　　图10：FRD增加两个环后结构

　　图11 FRD增加两个环后电势分布图

　　图12 FRD增加两个环后表面电场分布图

　　4.3.2增加三个环

　　从增加两个环的结果看，增加环后电势和电场都有改善，于是考虑增加三个环，模拟结果如下，FRD击穿电压没有改变，仍旧在1500V, 金属场板和截止环之间的电势降为约400V,表面电场由2.6E5V/cm降低到1.2E5V/cm。

　　图13 增加3个环后结构

　　图14 增加三个环后电势分布图

　　图15 增加三个环后表面电场分布图

　　4 结论分析

　　从以上模拟结果可以看到，通过优化终端结构，可以有效减少金属之间电势差，改善表面电场分布，从而改善圆片测试打火现象。同时，工艺上可考虑在增加环的同时增加金属后钝化层，以更好的改善产品性能。