基于MEMS工艺的八角形前腔 亚毫米波集成喇叭天线
集成的传输线和电路结构使用。
上述结构完全运用MEMS工艺,极大地满足了加工精度的需求,并且该结构可以改变前腔部分的张角θ,湿法腐蚀深度t_wet。干法刻蚀深度t_dry等于棱锥喇叭背腔高度的一半。根据不同的应用需求选择合适的参数,以获得合理的方向图。
4 仿真
运用有限元法,对集成喇叭整体结构进行建模。模型中,平面集成天线选择偶极子天线结构,偶极子长度0.4λ,工作频率900GHz,其辐射方向图及驻波特性如下:


图2 900GHz偶极子天线的辐射方向图及驻波曲线
棱锥喇叭腔A高度ha,对集成喇叭天线的性能有很大影响,在固定B部分的参数θ、t_wet后,选取喇叭腔的高度分别0.4λ、0.7λ和0.9λ,得到天线辐射方向图如下:
当ha增大时,天线主瓣宽度增大,在达到0.8λ以后,出现明显裂瓣。



图3 不同背腔高度(0.4λ,0.7λ和0.9λ)下的辐射方向图

图4 不同背腔高度(0.4λ、0.5λ、0.7λ和0.9λ)下的VSWR
通过驻波曲线结果可以看出,随着ha的增大,驻波出现恶化。因此,综合天线的辐射特性和驻波特性,选择ha=0.4λ。喇叭背腔的高度ha对天线的辐射特性和匹配特性存在着重大的影响,其结构类似于夹角反射器。
选取ha=0.4λ,l=1.4mm,设定不同的干法刻蚀张角θ值,并选择合适的湿法腐蚀深度t_wet,使得喇叭口径形状旋转对称。当θ值分别选取20?,30?和40?时,得到辐射方向图及结果如下:

图5 干法刻蚀张角θ=30?
表1 不同干法刻蚀张角θ下的结果
| θ (度) | 增益 | HPBW(E 面) | HPBW(H 面) |
| 20? | 14.1 | 40? | 34? |
| 30? | 15.9 | 28? | 28? |
| 40? | 17.2 | 24? | 26? |

图6 不同喇叭张角下(θ=20?,θ=40?,θ=60?)
天线驻波曲线图
从上述方向图及结果可以看出,干法刻蚀喇叭张角的改变,影响了天线的辐射方向图。当喇叭张角θ增大时,天线的3dB波瓣宽度变窄,增益增大,这是由于在固定喇叭长度的条件下,张角θ越大,喇叭口径越大,因此波瓣更窄且增益更大。这与传统的喇叭天线理论一致。天线的驻波曲线并没有随着喇叭张角的改变有很大改变,这表明影响天线匹配性的主要因素是背腔的高度。在实际应用中,可以通过控制喇叭开口的张角θ,设计出满足应用需求的集成喇叭天线。仿真中,我们选择的湿法腐蚀深度t_wet使得喇叭口径的高度和宽度基本一致,在实际应用中,t_wet的选择应根据E面方向图的要求进行选择,极限情况是不进行湿法腐蚀,而只进行干法刻蚀。湿法腐蚀的深度t_wet受到硅晶片厚度的限制。
在上面三个不同θ角度的方向图中,当θ=30?时,E面和H面主瓣基本对称,固定θ值,改变八角形喇叭前腔长度l。
表2 不同前腔长度l下的结果
| l (mm) | 增益 | HPBW(E 面) | HPBW(H 面) |
| 1.4 | 15.9 | 28? | 28? |
| 2? | 18.6 | 22? | 22? |
| 2.5? | 20 | 18? | 18? |
从结果可以看出,当固定θ值,改变l值,尽管天线的长度改变,E面和H面方向图的主瓣宽度仍然保持基本一致。随着l值的增大,天线增益增加,主瓣变窄。
5 结论
通过上文对集成喇叭天线在900GHz频段的有限元法分析,可以看出,我们提出的基于MEMS工艺的新型八角形前腔集成喇叭天线,能够很好的改善平面集成天线的辐射特性。喇叭天线的可控参数包括背腔高度ha、喇叭前腔张角θ、喇叭前腔长度l、喇叭前腔干法刻蚀深度t_dry以及喇叭前腔湿法腐蚀深度t_wet,通过综合优化这些参数,我们可以设计出符合设计应用的集成喇叭天线。平面集成天线的形式也不局限于采用偶极子天线,可以通过采
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