如何提高低静态电流LDO负载瞬变响应性能

试验结果

推荐的LDO稳压器电路采用0.5微米的CMOS工艺制造，占用面积为0.28mm2。

表1列出了测量结果，其中最大电流消耗为20μA。经过进一步优化能使电流消耗更低，但是芯片的面积会增大，从而对负载变化的反应变慢，并对LDO稳压器的其他主要参数带来不利影响。



表1：推荐LDO稳压器的主要参数。

图9为测量所得的负载瞬变响应曲线。其中负载在1μs内从最大值变化到1mA或从1mA变化到最大值时， LDO稳压器所产生的输出电压尖峰等于60mV 。假如负载变化的速率较慢(10μs)，那么LDO稳压器输出的电压变化可明显减少至18mV。



图9：测得的负载瞬变响应曲线。

在10kHz频率和LDO输出负载为20mA时测得的电源抑制比(PSRR)为-75dB，而在10Hz到100kHz频率范围内所测得的等效输出噪声等于10μVRMS。
本文小结

试验结果表明，所推荐的LDO稳压器由于具有较优的负载瞬变响应性能，因此在低电流消耗的LDO稳压器中具有无可比拟的优势。

最常见的LDO稳定性问题现在可以通过两个误差放大器的并行连接得以解决。推荐的LDO结构具有以下优点：

1.LDO的直流和低频参数可以由稳定且容易设计的双增益级A类放大器决定。

2.极具鲁棒性、响应快速的单增益级AB类放大器可完全应对快速的负载瞬变，并且不存在任何稳定性问题。

3.将两个放大器并联在一起有助于避免稳定性问题。

4.对低静态电流的LDO稳压器来说，放大器之间的电源电流能以最优的比例进行分配。