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新IGBT技术提高应用性能

时间:10-09 来源:互联网 点击:
    • 3.5 并联时芯片的对称电流分布

      SEMITRANS?模块中,并联了多达8个芯片(IGBT和二极管)(见表2)。二极管并联尤其具有挑战性,因为Vf的负温度系数会降低额定电流. 为此,SEMIKRON开发了定制解决方案,满足高功率应用(为静态和动态功率分配进行了优化)及高直流环母线电压应用(在关断时动态过电压限制)。进一步信息可在文献 中找到。

      3.6 多模块的并联

      对于几个模块并联的情况,功率降额必须尽可能低。此时,IGBT参数VCEsat的正温度系数具有正面的影响. 对于二极管的情况,可以采取3.5中描述那些步骤。正如文献 中所定义的,SEMITRANS? 模块中降额系数介于90%和95%之间。

      4. 展望未来

      得益于采用了第四代沟槽栅IGBT和CAL二极管的新1200V模块,SEMITRANS? IGBT模块将能够续写其成功故事。

      与同功率等级的其它模块相比,新系列模块所带来的性能提升不仅取决于采用了新一代的芯片 而且还取决于低的端电阻和相对较低的杂散电感。SEMIKRON的SEMITRANS系列就是一个明显的例子,通过完善模块技术参数,一代又一代的半导体芯片能够持续享受成功。

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