Tiny Switch特性及其应用
时间:07-24
来源:互联网
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4 TinySwitch的典型应用?隔离型待机电源
用TinySwitch实现的小功率隔离型开关电源,体积小、成本低、设计电路简单,其典型应用如图4所示。

图4为TinySwitch与反激式离线变换电路相结合实现高压DC输入的小功率DC电源。通过在次级将输出电压与一个参考电压相比较产生使能信号。参考电压取决于一个光耦发光二极管与一个齐纳二极管之和。当输出电压低于参考电压时,使能信号为高电平,控制Tinyn Switch之MOSFET导通,为变压器初级提供通路,向次级供电。当输出电压超过参考电压时,光耦二极管导通,将使能脚置低电平,使相应周期MOSFET关断,即MOSFET跳周期,从而保持输出电压稳定。
TinySwitch虽然工作于?跳周期?方式,但一旦一个周期开始,MOSFET总会完成整个周期,如此的工作方式使输出电压纹波由输出电容、每个开关周期的能量和使能反馈的延时决定。TinySwitch通/断控制电路的响应时间与一般的PWM控制相比非常迅速,这使得线路具有很好的纹波抑制性能和瞬间响应性能。
利用TinySwitch进行电源设计的另一个好处是不需要辅助电源,参见图4与图1,当MOSFET关断时,5.8V稳压器通过来自漏极的电流将连接到旁路引脚上的旁路电容充电至5.8V,当MOSFET导通,TinySwitch消耗存储在旁路电容上的能量,TinySwitch内部电路的功耗极低,使其能利用来自漏极引脚的电流连续工作。选取0.1μF的旁路电容已足以实现对高频去耦和能量存储。
5 应用举例 移动电话充电器
不需要辅助电源的特点,使TinySwitch特别适于做移动电话充电器。由于TinySwitch总是由输入高压供电,因而不需要偏置绕组。图5显示了一个使用TNY254的5.2V、3.6W移动电话充电器电路,在市电输入电压范围内(85V至256V)提供恒定电压和电流输出。交流输入经V1~V4、C1~C2整流滤波,产生与TYN254内高压MOSFET串联的高压直流总线。电感L1与C1和C2一起构成?型滤波器。电阻R1用于衰减电感L1的谐振。TNY254的低工作频率(44kHz)使其可以采用如上述简单的?型滤波器与一个电容C8组合来满足传导EMI标准。V6、C4和R2组成箝位电路,将TinySwitch漏极引脚关断电压尖峰限制在安全值范围内。次级绕组经V5和C5整流滤波提供5.2V输出。L2和C6一起提供辅助滤波。输出电压由光耦V7的发光二极管的管压降(约1V)和齐纳二极管V9的电压之和确定。电阻R8提供齐纳二级管的偏置电流来改善电压容差。用晶体管V8的UBE来检测通过电流检测电阻R4上的电压,R3是一个基准电流限制电阻。当R4上的压降超过晶体管V8的UBE时V8导通,并驱动光耦V7来取代环路控制。R6产生额外的压降,使得控制环路工作输出降至0V。由于输出短路,R4和R6上的压降足以保持V8和V7电路工作。电阻R7和R9限制了在输出短路时,由R4和R6上的压降产生的通过V9流入V8的正向电流。
用TinySwitch实现的小功率隔离型开关电源,体积小、成本低、设计电路简单,其典型应用如图4所示。

图4为TinySwitch与反激式离线变换电路相结合实现高压DC输入的小功率DC电源。通过在次级将输出电压与一个参考电压相比较产生使能信号。参考电压取决于一个光耦发光二极管与一个齐纳二极管之和。当输出电压低于参考电压时,使能信号为高电平,控制Tinyn Switch之MOSFET导通,为变压器初级提供通路,向次级供电。当输出电压超过参考电压时,光耦二极管导通,将使能脚置低电平,使相应周期MOSFET关断,即MOSFET跳周期,从而保持输出电压稳定。
TinySwitch虽然工作于?跳周期?方式,但一旦一个周期开始,MOSFET总会完成整个周期,如此的工作方式使输出电压纹波由输出电容、每个开关周期的能量和使能反馈的延时决定。TinySwitch通/断控制电路的响应时间与一般的PWM控制相比非常迅速,这使得线路具有很好的纹波抑制性能和瞬间响应性能。
利用TinySwitch进行电源设计的另一个好处是不需要辅助电源,参见图4与图1,当MOSFET关断时,5.8V稳压器通过来自漏极的电流将连接到旁路引脚上的旁路电容充电至5.8V,当MOSFET导通,TinySwitch消耗存储在旁路电容上的能量,TinySwitch内部电路的功耗极低,使其能利用来自漏极引脚的电流连续工作。选取0.1μF的旁路电容已足以实现对高频去耦和能量存储。
5 应用举例 移动电话充电器
不需要辅助电源的特点,使TinySwitch特别适于做移动电话充电器。由于TinySwitch总是由输入高压供电,因而不需要偏置绕组。图5显示了一个使用TNY254的5.2V、3.6W移动电话充电器电路,在市电输入电压范围内(85V至256V)提供恒定电压和电流输出。交流输入经V1~V4、C1~C2整流滤波,产生与TYN254内高压MOSFET串联的高压直流总线。电感L1与C1和C2一起构成?型滤波器。电阻R1用于衰减电感L1的谐振。TNY254的低工作频率(44kHz)使其可以采用如上述简单的?型滤波器与一个电容C8组合来满足传导EMI标准。V6、C4和R2组成箝位电路,将TinySwitch漏极引脚关断电压尖峰限制在安全值范围内。次级绕组经V5和C5整流滤波提供5.2V输出。L2和C6一起提供辅助滤波。输出电压由光耦V7的发光二极管的管压降(约1V)和齐纳二极管V9的电压之和确定。电阻R8提供齐纳二级管的偏置电流来改善电压容差。用晶体管V8的UBE来检测通过电流检测电阻R4上的电压,R3是一个基准电流限制电阻。当R4上的压降超过晶体管V8的UBE时V8导通,并驱动光耦V7来取代环路控制。R6产生额外的压降,使得控制环路工作输出降至0V。由于输出短路,R4和R6上的压降足以保持V8和V7电路工作。电阻R7和R9限制了在输出短路时,由R4和R6上的压降产生的通过V9流入V8的正向电流。

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