基于MAX8570的OLED电源偏置电路设计

二极管的选择

二极管的开关损耗占系统损耗的六分之一到五分之一，是影响升压变换器效率的主要因素，包括正向导通损耗和反向恢复损耗，推荐使用具有快速恢复时间及正向压降较小的肖特基二极管，其额定电流值应大于峰值开关电流值，反向击穿电压应大于输出电压。常用的肖特基二极管有MBR0520、MBR0530、ZHCS400等。

电容的选择

输出电容既能维持输出电压，也能平滑因MOSFET开关产生的纹波电压（在N沟道MOSFET导通时，由输出电容向负载供电）。因此，在保证足够带宽的前提下，应选择ESR（串联等效电阻）其ESL（串联等效电感）较小、耐压值较高的输出电容，例如X5R或X7R介质材料的陶瓷电容，在大多数应用电路设计中其容量可取1μF。

输入电容主要用于滤除电源中的纹波电压，建议采用X5R或X7R介质材料的陶瓷电容，其电容容量取值可在1-6.8μF之间选择。

在MX85701输出与FB之间增加一只反馈电容，可改善输出电压的稳定性，推荐使用一只47pF的陶瓷电容。

印刷线路板布局注意事项

MAX8570变换器的印刷线路板在布局时要注意以下几点：

（1）输入电容与输出电容应尽可能靠近芯片的相应管脚放置，以减小分布电容和分布电感的影响，提高抑制纹波电压的能力。

（2）反馈端的分压电阻R1、R2应靠近芯片放置，以保证分压点到FB引脚的走线最短。反馈信号要远离SW到LX支路之间的走线，以防止产生耦合噪声。

（3）电感应尽量接近SW和LX引脚，并确保主回路的走线短而粗，以减小对外辐射。

主动矩阵OLED电源偏置电路设计实例

OLED分为主动矩阵（AMOLED）和被动矩阵OLED（PMOLED）主动矩阵OLED电源偏置电路除了向OLED提供正电压之外，还需要利用反相器提供负电压，采用MAX8570设计的OLED电源偏置电路如图3所示，该电路通过一个二极管和电容电荷泵可产生负输出电压，其电压副值比正输出电压的副值小一个正向二极管的压降，如果正输出端的负载很小或空载，则负输出电压会偏离其额定值，为了避免出现这样情况，设计时可选择阻值较低的反馈电阻（R1和R2）以确保输出数百微安的电流。

                    

结束语

MAX8570芯片的集成度很高，且不需要外置MOSFET，这些特点大大简化了外围电路的设计，也为实现超薄OLED显示器的优化设计创造了有利条件，本文根据MAX8570芯片的特性和原理设计了一款OLED电源偏置电路，并给出了OLED电源偏置电路的设计方法，同时还对其PCB板的布局、布线进行了分析说明，及OLED电源偏置电路在数码相机中得到了较好的应用，而且变换效率高、性能稳定，工作可靠。