CRT显像管电子束着屏斑点的仿真分析

水平方向上平均值

图11 水平偏转磁场下电子束落点变化示意图

3 结论

本文在CST粒子工作室™环境下，使用静电、静磁以及粒子求解器成功地对CRT进行仿真，证明了数值仿真全管的可行性；完成了一个符合实际产品规格的，具有可控电场和可控磁场并且能够跟踪粒子轨迹的CRT仿真模型；获得了聚焦情况良好的G6、玻璃屏、椎体、框架和内屏蔽的电压设置；通过软件提供的后处理模板获得了电子束着屏统计值，借此分析了偏转系统对电子束着屏位置的影响；这些都为后续优化磁屏蔽罩奠定了基础。另外，本仿真存在着屏偏移量与偏转电流间的非线性度和水平或垂直偏离的非零结果的问题，需要增加粒子数，提高网格对称性以降低统计噪声。