平板端射天线阵馈电特性的研究
1 引言
阵列天线在现今的通信、雷达等领域有着广泛的应用,在实际工作中,阵列天线的每一个天线单元都是开放型电路,各单元之间并不是完全隔离的而是存在着互耦。互耦是天线阵,尤其是小间距天线阵和大型天线阵天线综合中的一个关键性问题,对设备的系统性的优劣具有决定性作用。互耦问题的存在会影响天线的辐射性能。一般来说,互耦使馈入某一天线能量的一部分被其他天线单元所吸收,因而整个阵列天线系统辐射性能就会下降。因此人们一直在寻找去除耦合的有效途径,如增大单元间距,或者改变阵列的结构形式等方法。然而互耦作为一种物理现象是不可能完全消除的,它或多或少地存在于天线单元之间,因此有必要弄清互耦对阵列天线馈电特性的影响,从而为抑制或补偿单元在阵列中的互偶效应奠定理论和实验的基础。
现阶段,国内外对于阵列天线的互耦研究一般以微带阵,喇叭阵,侧射阵和算法居多,在端射天线阵的互耦方面,很少见到公开报道。
本文通过软件仿真,研究了互耦对端射天线阵列馈电特性的影响,并对实际工作的平板端射天线阵的每一单元逐个测试,对比仿真和实测的结果,验证了仿真情况下获得的馈电特性和阻抗特性的变化规律。
2 计算仿真
图1所示是仿真系统下建立的一个平板端射天线单元的模型。
图1 单个平板端射天线模型
该天线采用的是同轴线馈电的方式,工作频点为3Ghz,设置的仿真频段范围是2.5~3.5Ghz,边界条件设置为自由空间。通过运算后,得到s11幅度及相位的数据,驻波比曲线,输入阻抗曲线,三维方向图和增益依次如下所示。
图2 1单元仿真vswr结果图
图3 1单元仿真输入阻抗圆图结果图
图4 1单元仿真三维方向图及增益结果图
由仿真可知,3Ghz处的s11幅度为-5.16dB,相位是79.37°,驻波比为3.46,输入阻抗为32.1+50.2j,增益为14.62dB。
接下来的仿真实验就是针对阵列的耦合影响所做的从轴向、横向以及小阵的不同角度进行仿真分析。首先把轴向仿真的结果绘制成表格,如下所示,其中2a代表的是前面放置1单元的2元组阵形式,2b代表的是后面放置1单元的2元组阵形式,8a代表的是前面放置4单元,后面放置3单元的8元组阵形式,8b代表的是前面放置3单元,后面放置4单元的组阵形式。
表1 轴向排列阵列仿真结果汇总表
单元数 | S11幅度(dB) | S11相位(度) | 驻波比 | 输入阻抗(欧) | 增益(dB) |
2a | -5.0 | 80.23 | 3.57 | 30.9+50.4j | 12.83 |
2b | -5.37 | 79.41 | 3.34 | 33.0+49.5j | 14.29 |
3 | -5.1 | 80.16 | 3.5 | 31.4+50.0j | 12.58 |
5 | -5.13 | 80.25 | 3.49 | 31.5+49.8j | 12.15 |
7 | -5.14 | 80.24 | 3.48 | 31.5+49.8j | 12.23 |
8a | -5.14 | 80.24 | 3.48 | 31.5+49.8j | 12.23 |
8b | -5.14 | 80.24 | 3.48 | 31.5+49.8j | 12.26 |
纵观整张表格,我们可以发现这样几处特点:第一,处于阵列中的阵单元受耦合影响是显然存在的,其中对于s11幅度,驻波比,和增益的影响最大,单元数少时,输入阻抗变化明显,但单元数增多后,输入阻抗变化较小了;第二,同样是2元的阵列时,位于被测天线前的单元对主元有遮挡效应,位于后方的单元对主元有反射效应,但是即使只有反射效应的时候,增益比独立的单元还是低了0.33dB,说明耦合对阵中单元的影响是会降低增益的;第三,当单元数逐渐增大后,被测单元的各项指标已趋于稳定,说明相隔较远的阵元对被测单元的耦合影响逐渐减弱,相隔一个以上单元位置的耦合影响可以忽略不计。总的来说,轴向的耦合影响使被测单元增益降低了约2dB。
下面把横向仿真的结果也绘制成表格,如下表。
表2 横向排列阵列仿真结果汇总表
单元数 | S11幅度(dB) | S11相位(度) |
|
- 缺陷地结构在微带天线间互耦抑制中的运用(01-20)