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平板端射天线阵馈电特性的研究

时间:02-10 来源:互联网 点击:

1 引言

阵列天线在现今的通信、雷达等领域有着广泛的应用,在实际工作中,阵列天线的每一个天线单元都是开放型电路,各单元之间并不是完全隔离的而是存在着互耦。互耦是天线阵,尤其是小间距天线阵和大型天线阵天线综合中的一个关键性问题,对设备的系统性的优劣具有决定性作用。互耦问题的存在会影响天线的辐射性能。一般来说,互耦使馈入某一天线能量的一部分被其他天线单元所吸收,因而整个阵列天线系统辐射性能就会下降。因此人们一直在寻找去除耦合的有效途径,如增大单元间距,或者改变阵列的结构形式等方法。然而互耦作为一种物理现象是不可能完全消除的,它或多或少地存在于天线单元之间,因此有必要弄清互耦对阵列天线馈电特性的影响,从而为抑制或补偿单元在阵列中的互偶效应奠定理论和实验的基础。

现阶段,国内外对于阵列天线的互耦研究一般以微带阵,喇叭阵,侧射阵和算法居多,在端射天线阵的互耦方面,很少见到公开报道。

本文通过软件仿真,研究了互耦对端射天线阵列馈电特性的影响,并对实际工作的平板端射天线阵的每一单元逐个测试,对比仿真和实测的结果,验证了仿真情况下获得的馈电特性和阻抗特性的变化规律。

2 计算仿真

图1所示是仿真系统下建立的一个平板端射天线单元的模型。

图1 单个平板端射天线模型

该天线采用的是同轴线馈电的方式,工作频点为3Ghz,设置的仿真频段范围是2.5~3.5Ghz,边界条件设置为自由空间。通过运算后,得到s11幅度及相位的数据,驻波比曲线,输入阻抗曲线,三维方向图和增益依次如下所示。

图2 1单元仿真vswr结果图

图3 1单元仿真输入阻抗圆图结果图

图4 1单元仿真三维方向图及增益结果图

由仿真可知,3Ghz处的s11幅度为-5.16dB,相位是79.37°,驻波比为3.46,输入阻抗为32.1+50.2j,增益为14.62dB。

接下来的仿真实验就是针对阵列的耦合影响所做的从轴向、横向以及小阵的不同角度进行仿真分析。首先把轴向仿真的结果绘制成表格,如下所示,其中2a代表的是前面放置1单元的2元组阵形式,2b代表的是后面放置1单元的2元组阵形式,8a代表的是前面放置4单元,后面放置3单元的8元组阵形式,8b代表的是前面放置3单元,后面放置4单元的组阵形式。

表1 轴向排列阵列仿真结果汇总表

单元数

S11幅度(dB)

S11相位(度)

驻波比

输入阻抗(欧)

增益(dB)

2a

-5.0

80.23

3.57

30.9+50.4j

12.83

2b

-5.37

79.41

3.34

33.0+49.5j

14.29

3

-5.1

80.16

3.5

31.4+50.0j

12.58

5

-5.13

80.25

3.49

31.5+49.8j

12.15

7

-5.14

80.24

3.48

31.5+49.8j

12.23

8a

-5.14

80.24

3.48

31.5+49.8j

12.23

8b

-5.14

80.24

3.48

31.5+49.8j

12.26

纵观整张表格,我们可以发现这样几处特点:第一,处于阵列中的阵单元受耦合影响是显然存在的,其中对于s11幅度,驻波比,和增益的影响最大,单元数少时,输入阻抗变化明显,但单元数增多后,输入阻抗变化较小了;第二,同样是2元的阵列时,位于被测天线前的单元对主元有遮挡效应,位于后方的单元对主元有反射效应,但是即使只有反射效应的时候,增益比独立的单元还是低了0.33dB,说明耦合对阵中单元的影响是会降低增益的;第三,当单元数逐渐增大后,被测单元的各项指标已趋于稳定,说明相隔较远的阵元对被测单元的耦合影响逐渐减弱,相隔一个以上单元位置的耦合影响可以忽略不计。总的来说,轴向的耦合影响使被测单元增益降低了约2dB。

下面把横向仿真的结果也绘制成表格,如下表。

表2 横向排列阵列仿真结果汇总表

单元数

S11幅度(dB)

S11相位(度)

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