平板端射天线阵馈电特性的研究
表4 实测条件下各单元中心频点处s11
幅度值表(单位:dB)
-6.43 | -6.38 | -5.7 | -5.96 | -6.2 |
-5.1 | -5.4 | -5 | -5.1 | -5.5 |
-6.3 | -6.15 | -5.5 | -6 | -6.4 |
-5.9 | 5.3 | -5.1 | -5.6 | -5.2 |
-6.6 | -6.5 | -5.7 | -6 | -5.8 |
表5 实测条件下各单元中心频点处s11相位值表(单位:度)
62.9 | 78.3 | 59.8 | 56.8 | 64.5 |
63.1 | 64.4 | 61.7 | 62.6 | 59.1 |
92.6 | 67.1 | 55.6 | 53.5 | 64 |
57.6 | 50.1 | 53.2 | 55.3 | 54.3 |
67.4 | 67.4 | 62.2 | 62.6 | 65.1 |
表6 实测条件下各单元中心频点处驻波比值表
2.8 | 2.8 | 3.1 | 3 | 2.9 |
3.5 | 3.3 | 3.6 | 3.5 | 3.2 |
2.9 | 2.9 | 3.2 | 3 | 2.8 |
3.05 | 3.4 | 3.5 | 3.2 | 3.4 |
2.7 | 2.8 | 3.2 | 2.9 | 3.1 |
表7 实测条件下各单元中心频点处输入阻抗的
电阻值表(单位:欧姆)
48.5 | 37.1 | 48.8 | 53.2 | 46.3 |
42.5 | 43 | 43.5 | 43.2 | 48.5 |
29.7 | 44 | 52.6 | 57.1 | 47.6 |
52.2 | 58.8 | 53.8 | 53.3 | 52.7 |
45.5 | 45.1 | 46.3 | 47.6 | 44.6 |
表8 实测条件下各单元中心频点处输入阻抗的电抗值表(单位:欧姆)
53.6 | 45.4 | 60.1 | 60.1 | 54.2 |
61.6 | 58.6 | 63.2 | 61.9 | 61.6 |
38 | 52.8 | 64.1 | 61.3 | 53.1 |
60 | 69.6 | 69.1 | 63.9 | 67.8 |
50 | 50.8 | 58.7 | 55.8 | 55.8 |
4 结果比较及分析
将软件仿真中所做的25单元组阵的仿真结果和实验测试中5×5方阵的中心单元的所测数据进行对比,绘制成如下表格。
表9 25单元阵中心单元各项特性的
仿真结果与实测结果对比表
| 软件仿真 | 实验测试 |
S11幅度(dB) | -5.209 | -5.5 |
S11相位(度) | 64.113 | 55.6 |
驻波比 | 3.434 | 3.2 |
输入阻抗(欧) | 43.10+61.05j | 52.6+64.1j |
对比两组数据结果,显然比较接近,说明在用软件模拟小阵排列时所计算的结果在一定程度上与实测结果相吻合,仿真所观察到的互耦影响的变化规律是有助于分析实际天线的工作状况。为了进一步比较仿真和实测的互耦变化规律,本文将5×5方阵的中间一列数据提取出来,并且以中心点数据为单位做归一化处理,得到各自的数组并绘制成表,如下所示。
- 缺陷地结构在微带天线间互耦抑制中的运用(01-20)