微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 应用设计 > 工业电子 > 通用RF器件的邻道泄漏比(ACLR)来源

通用RF器件的邻道泄漏比(ACLR)来源

时间:12-14 来源:互联网 点击:

结论


通用RF器件的载波功率电平、OIP3指标和单载波/多载波ACLR性能之间的关系已推导得出。该关系适用于性能受三阶失真分量影响的RF器件。包括许多通用的RF器件,但是驱动不能太接近饱和电平。通过观察,该模型对ACLR的预测精度接近±2dB。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top