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一种基于省时考虑的深亚微米VLSI的物理验证方法

时间:09-30 来源:互联网 点击:
    3 物理验证流程

    一般而言LVS与电气规则检查(ERC)的关系密切,ERC主要包括比如短路、开路、悬浮等,对于一个ERC检查通过的设计,LVS才真正可以检查出元件的连接问题。因此,ERC应该在LVS之前完成,需要注意的是Hercules的ERC检查可以集成在DRC和LVS检查中,以利于整体进行检查和改进。本课题所采用Smic18LG工艺的物理验证将ERC检查分别集成到天线效应检查和LVS的电气连接检查中。但一般而言,DRC,ANT与LNS则没有必然的先后顺序。根据工程经验,在修复ANT错误时,常常需要更改填充金属形状和位置,而这又会带入新的DRC问题,因此比较理想的做法是先修ANT错误,等检查通过后再进行DRC修复前面引入的设计规则违例,这样不但可以修复 DRC,而且可以为后面进行LNS尽可能的排除干扰,然后进行LVS,需要注意的是,LVS不涉及FILL View,即含有填充金属信息的版图层,而进行LVS时在提取版图参数阶段,如果含有填充金属信息会导致提取的参数文件过大,一致性比较时也会占用较多内存,因此可以使用不含FILL View信息的CDSII版图文件进行LVS初步检查,经比较并修改至检查通过时再使用含填充金属信息的GDSII文件提取参数并作最后的LVS,这时的结果会与前面类似,如果检查通过则可作最后的DRC检查,若结果显示没有违例则可进行最后的流片。物理验证流程如图5所示。



    4 结论

    本课题使用的服务器是浪潮服务器NL380G2,3.6G双核CPU,Xeon8G内存,进行验证的设计为二百万门级某型号调制芯片设计,工具为Her-cules2004.12。旧有的流程是按经验采用或先LVS或先DRC,而按照本文提出的流程在实际的设计中已经经过验证。如果使用含有 FILL View信息的GDSII文件进行一遍LVS需要进行7-8

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