全数字化语言教学实验室学生机单元的设计

由于语言教学实验室对语言教学产生着十分重大的影响和作用,是外语教学改革和提高外语教学质量的制高点和突破口,因而语音教学实验室得到了空间的发展和利用。我国现有的语言教学实验室产品大都属于模拟型语言教学实验室,然而面对信息时代的到来,高新技术的发展,语言教学实验室了适应未来教育的需要,必须寻求新的发展。而要解决传统语音教学实验室面临的问题必须引入数字化的设计,这主要包括以下四方面的内容：一是学生机中微控制器选择;二是语音信号的采集和播放;三是语音信号的存储,也就是数字录音机的功能实现;四是语音信号的网络化传播。

TMS320F206是美国TI（德州仪器）公司继TMS320C2X和TMS320C5X之后推出的一种低价格、高性能的16位定点运算DSP,其CPU接近于TMS320C25,但时钟速率提高、指令集更加丰富和优化、片内外设向TMS320C5X靠拢[1]。TMS320F206（以下简称F206）的性价比较高,目前已成为高档单片机理想替代品,在通信、语音/语言、军事、仪器仪表、图像处理、工业控制等领域得到了广泛应用。本文就是用F206对MSM6588语音芯片进行录音、放间控制,用FLASH存储器AM29F040B进行语音数据存储,用差分线驱动器和接收器SN75LBC180在RS-485总线网络上传输语音数据,从而满足全数字化语言教学实验室对学生机提出的上述要求的。图1示出了该语音系统的结构简图。



1 语音录放电路

语音芯片MSM6588是日本OKI公司的产品,内含话简放大器、低通滤波器（LPF）、12位A/D和D/A转换器,语音数据的处理采用ADPCM（自适应差分脉冲编码模式）方式[2]。语音芯片主时钟频率确定后,可用DSP通过软件输入控制字来设定采样频率。采样频率设定越高,放间的品质越好,录间的时间就越短。表1给出了MSM6588语音芯片的常用控制命令。

表1 MSM6588的控制命令表

命  令	第1个4位命令 D3  D2  D1  D0	第二个4位命令 D3  D2  D1  D0	命令的功能
NOP	0   0   0   0	-	1个4位命令,空操作
SAMP	0   1   1   0	-   -  A1  A0	2个4位命令,A1、A0可设定4种采样频率
VDS	1   1   0   0	-   B  -   -	2个4位命令,B=0表示3位ADPCM,B1表示4位ADPCM
PLAY	0   0   1   0	-	1个4位命令,播放
REC	0   0   1   1	-	1个4位命令,记录
STOP	0   1   0   1	-	1个4位命令,停止记录/播放
PAUSE	0   0   0   1	-	1个4位命令,暂时停止记录/播放
EXT	1   0   1   1	-	1个4位命令,启动记录/播放

U3是总线收发器,用来隔离和驱动DSP的数据线。MSM6588左边的模拟电路用来放大从麦克风给拾取的微弱电信号,左边的模拟电路是功率放大部分,U5即TPA302是音频功率放大器,可驱动32Ω耳机。

2 语音存储电路

由于语音芯片内无存储器,必须外挂存储器。可采用的存储器很多,如SRAM、PSRAM、DRAM、SDRAM、FLASH等。本方案采用的是AMD公司生产的AM29F040B,它的存储容量为512KB,使用单5V电源进行按扇区的擦除和按字节的写放操作。AM29F040B的非易失性可使语音数据在掉电后不会丢失,它的闪速存储器能可提高语音数据的采样频率,从而提高放间的品质。当采样频率设定为5.86kHz时,录音/放音时间为174.744s。

AM29F040B的引脚输出与工业标准的EPROM、E2PROM完全兼容,在电路设计时非常方便。图3示出F206与AM29F040B的接口电路。AM29F040B地址线有19根,设计F206与其接口的关键是将AM29F040B的高位地址线（图3中为A14、A15、A16、A17和A18,可根据分页的多少和页面大小而定）通过八D锁存器74HC574的输出保持,其余地址线直接连到F206的地址总线上。该接口电路将512KB的数据空间分成32页,每页16KB。这16KB的空间被定位在F206数据空间的哪一个范围则由信号线/CSFLASH决定。在对FLASH操作时,先要通过74HC574选择页面,然后便可对当前页面的16KB数据空间读写。



与静态RAM不同,对FLASH的操作是通过一系列命令来实现的。表2给出不AM29F040B的主要命令定义（其中XXX表示任意地址。RA表示要读的存储地址,RD表示要读的数据;PA表示编程地址,PD表示编程数据;SA表示扇区地址A18～A16）。从表2可以看出,读FLASH只需要1个时钟周期,而写入一个字节则需要4个时钟周期,因此FLASH的读写速度比SRAM慢。但FLASH比相同容量的SRAM便宜得多,工作可靠性高,因而FLASH非常适用于需要大容量、非易失性、重复编程存储的场合。

表2 AM29F040B的主要命令