剖析低功耗内存－Mobile RAM

　　
内建温度传感器可准确探测Mobile RAM芯片内部温度变化，自动完成刷新周期的调整和功耗管理，避免了使用外部温度传感器探测的不准确性和在待机状态需要唤醒处理器的额外操作。内建温度传感器同时也降低了系统设计的复杂性和开发成本，并进一步提升了便携式设备的系统稳定性。
　　
局部阵列自刷新（PASR）
　　
局部阵列自刷新是Mobile RAM所具有的另一节能特性。有了PASR，通过置位扩展模式寄存器（如图1所示）的PASR位，可以将自刷新操作限制在Mobile RAM的某一需要保存数据的区域，从而避免了在无数据存储的区域做不必要的刷新。英飞凌Mobile RAM的PASR操作包括能对所有的四个Bank(缺省)刷新，两个bank刷新,一个bank刷新，1/2 bank刷新或者1/4 bank刷新。由于PASR自刷新模式下的功耗与存有数据多少，以及需要刷新的区域大小相关，所能节省的功耗和暂时闲置的存储区域大小成正比。
　　
可见，在保持和传统SDRAM功能兼容的同时，Mobile RAM提供了许多有价值的低功耗特性，它们可以满足各种便携式设备和其他移动设备所需的低功耗要求。除了更低的供电电压和低的工作电流，内建温度传感器的温度补偿自刷新特性和部分阵列自刷新特性使得器件在自刷新模式下的功耗都得以大幅降低，延长了电池的使用寿命。