在马达设计中提升更高的效率
时间:06-28
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NPT IGBT有一个基本是单一斜率的下降时间
换句话说,常规IGBT的下降时间由一个dI/dt非常高的区域和之后一个非常长的尾迹组成。在后一个区域,电流的下降速率非常低,而且器件损耗非常高。在高dI/dt的区域,常规IGBT所产生的EMI是很高的,通常会具有影响驱动电路的可能,必须将驱动电路和功率开关管隔离。NPTIGBT的另一个优点是,它可以采用Vce(sat)是正温度系数的工艺制造,这是并联IGBT时非常重要的参数。
换句话说,常规IGBT的下降时间由一个dI/dt非常高的区域和之后一个非常长的尾迹组成。在后一个区域,电流的下降速率非常低,而且器件损耗非常高。在高dI/dt的区域,常规IGBT所产生的EMI是很高的,通常会具有影响驱动电路的可能,必须将驱动电路和功率开关管隔离。NPTIGBT的另一个优点是,它可以采用Vce(sat)是正温度系数的工艺制造,这是并联IGBT时非常重要的参数。
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