用过压故障保护模拟开关代替 分立保护器件
时间：05-31
来源：互联网
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作者： Paul O'Sullivan
摘要
设计具有鲁棒性的电子电路较为困难，通常会导致具有大量 分立保护器件的设计的相关成本增加、时间延长、空间扩大。 本文将讨论故障保护开关架构，及其与传统分立保护解决方 案相比的性能优势和其他优点。下文讨论了一种新型开关架 构，以及提供业界领先的故障保护性能以及精密信号链所需 性能的专有高电压工艺。ADI的故障保护开关和多路复用器 新型产品系列（ADG52xxF和ADG54xxF）就是采用这种技术。
高性能信号链的模拟输入保护往往令系统设计人员很头痛。 通常，需要在模拟性能（例如漏电阻和导通电阻）和保护水 平（可由分立器件提供）之间进行权衡。
用具有过电压保护功能的模拟开关和多路复用器代替分立 保护器件能够在模拟性能、鲁棒性和解决方案尺寸方面提供 显著的优势。过电压保护器件位于敏感下游电路和受到外部 应力的输入端之间。一个例子是过程控制信号链中的传感器 输入端。
本文详细说明了由过电压事件引起的问题，讨论了传统分立 保护解决方案及其相关缺点，还介绍了过电压保护模拟开关 解决方案的特性和系统优势，最后介绍了ADI业界领先的故 障保护模拟开关产品系列。
过电压问题—回顾基础
如果施加在开关上的输入信号超过电源电压（VDD或VSS）一 个以上二极管压降，则IC内的ESD保护二极管将变成正向偏 置，而且电流将从输入信号端流至电源，如图1所示。这种 电流会损坏元件，如果不加以限制，还可能触发闩锁事件。
图1.过压电流路径。
如果开关未上电，则可能出现以下几种情形：
如果电源浮动，输入信号可能通过ESD二极管停止向VDD 电轨供电。这种情况下，VDD引脚将处于输入信号的二极 管压降范围内。这意味着能够对开关有效供电，就像使 用相同VDD电轨的其他元件一样。这可能导致信号链中的 器件执行未知且不受控制的操作。
I如果电源接地，PMOS器件将在负VGS下接通，开关将把 削减的信号传至输出端，这可能会损坏同样未上电的下 游器件（参见图2）。注：如果有二极管连接至电源，它 们将发生正向偏置，把信号削减为+0.7 V。
图2.电源接地时的过电压信号。
分立保护解决方案
设计人员通常采用分立保护器件解决输入保护问题。
通常会利用大的串联电阻限制故障期间的电流，而连接至供 电轨的肖特基或齐纳二极管将箝位任意过电压信号。图3所 示为多路复用信号链中这种保护方案的一个示例。
但是，使用此类分立保护器件存在许多缺点。
串联电阻会延长多路复用器的建立时间并缩短整体建立 时间。
保护二极管会产生额外的漏电流和不断变化的电容，从 而影响测量结果的精度和线性度。
在电源浮动情况时时没有任何保护，因为连接至电源的 ESD二极管不会提供任何箝位保护。
图3.分立保护解决方案。
传统开关架构
图4为一种传统开关架构的概览。在开关器件（在图4的右侧） 中，ESD二极管连接至开关元件输入和输出端的供电轨。图 中还显示了外部分立保护器件—用于限制电流的串联电阻 和用于实现过电压箝位的肖特基二极管（连接至电源）。在 苛刻环境下，通常还需要利用双向TVS提供额外的保护。
图4.采用外部分立保护器件的传统开关架构。
故障保护开关架构
故障保护开关架构如图5所示。输入端的ESD二极管用双向 ESD单元代替，输入电压范围不再受连接至供电轨的ESD二 极管限制。因此，输入端的电压可能达到工艺限值（ADI提 供的新型故障保护开关的限值为±55 V）。
大多数情况下，ESD二极管仍然存在于输出端，因为输出端 通常不需要过电压保护。
输入端的ESD单元仍然能够提供出色的ESD保护。使用此类 ESD单元的ADG5412F过电压故障保护四通道SPST开关的 HBM ESD额定值可达到5.5 kV。
对于IEC ESD (IEC 61000-4-2)、EFT或浪涌保护等更严格的情 况，可能仍然需要一个外部TVS或一个小型限流电阻。
图5.故障保护开关架构。
开关的一个输入端发生过电压状况时，受影响的通道将关 闭，输入将变为高阻态。其他通道上的漏电流仍然很小，因 而其余通道能够继续正常工作，而且对性能的影响极小。几 乎不用在系统速度/性能和过电压保护之间进行妥协。
因此，故障保护开关能够大幅简化信号链解决方案。很多情 况下都需要使用限流电阻和肖特基二极管，而开关过电压保 护消除了这种需要。整体系统性能也不再受通常会引起信号 链漏电和失真的外部分立器件限制。
ADI 故障保护开关的特性
ADI的故障保护开关新型产品系列采用专有高电压工艺打造 而成，能够在上电和未上电状态下提供高达±55 V的过电压 保护。这些器件能够为精密信号链使用的故障保护开关提供 业界领先的性能。
图6.沟槽隔离工艺。
摘要
设计具有鲁棒性的电子电路较为困难，通常会导致具有大量 分立保护器件的设计的相关成本增加、时间延长、空间扩大。 本文将讨论故障保护开关架构，及其与传统分立保护解决方 案相比的性能优势和其他优点。下文讨论了一种新型开关架 构，以及提供业界领先的故障保护性能以及精密信号链所需 性能的专有高电压工艺。ADI的故障保护开关和多路复用器 新型产品系列（ADG52xxF和ADG54xxF）就是采用这种技术。
高性能信号链的模拟输入保护往往令系统设计人员很头痛。 通常，需要在模拟性能（例如漏电阻和导通电阻）和保护水 平（可由分立器件提供）之间进行权衡。
用具有过电压保护功能的模拟开关和多路复用器代替分立 保护器件能够在模拟性能、鲁棒性和解决方案尺寸方面提供 显著的优势。过电压保护器件位于敏感下游电路和受到外部 应力的输入端之间。一个例子是过程控制信号链中的传感器 输入端。
本文详细说明了由过电压事件引起的问题，讨论了传统分立 保护解决方案及其相关缺点，还介绍了过电压保护模拟开关 解决方案的特性和系统优势，最后介绍了ADI业界领先的故 障保护模拟开关产品系列。
过电压问题—回顾基础
如果施加在开关上的输入信号超过电源电压（VDD或VSS）一 个以上二极管压降，则IC内的ESD保护二极管将变成正向偏 置，而且电流将从输入信号端流至电源，如图1所示。这种 电流会损坏元件，如果不加以限制，还可能触发闩锁事件。
图1.过压电流路径。
如果开关未上电，则可能出现以下几种情形：
如果电源浮动，输入信号可能通过ESD二极管停止向VDD 电轨供电。这种情况下，VDD引脚将处于输入信号的二极 管压降范围内。这意味着能够对开关有效供电，就像使 用相同VDD电轨的其他元件一样。这可能导致信号链中的 器件执行未知且不受控制的操作。
I如果电源接地，PMOS器件将在负VGS下接通，开关将把 削减的信号传至输出端，这可能会损坏同样未上电的下 游器件（参见图2）。注：如果有二极管连接至电源，它 们将发生正向偏置，把信号削减为+0.7 V。
图2.电源接地时的过电压信号。
分立保护解决方案
设计人员通常采用分立保护器件解决输入保护问题。
通常会利用大的串联电阻限制故障期间的电流，而连接至供 电轨的肖特基或齐纳二极管将箝位任意过电压信号。图3所 示为多路复用信号链中这种保护方案的一个示例。
但是，使用此类分立保护器件存在许多缺点。
串联电阻会延长多路复用器的建立时间并缩短整体建立 时间。
保护二极管会产生额外的漏电流和不断变化的电容，从 而影响测量结果的精度和线性度。
在电源浮动情况时时没有任何保护，因为连接至电源的 ESD二极管不会提供任何箝位保护。
图3.分立保护解决方案。
传统开关架构
图4为一种传统开关架构的概览。在开关器件（在图4的右侧） 中，ESD二极管连接至开关元件输入和输出端的供电轨。图 中还显示了外部分立保护器件—用于限制电流的串联电阻 和用于实现过电压箝位的肖特基二极管（连接至电源）。在 苛刻环境下，通常还需要利用双向TVS提供额外的保护。
图4.采用外部分立保护器件的传统开关架构。
故障保护开关架构
故障保护开关架构如图5所示。输入端的ESD二极管用双向 ESD单元代替，输入电压范围不再受连接至供电轨的ESD二 极管限制。因此，输入端的电压可能达到工艺限值（ADI提 供的新型故障保护开关的限值为±55 V）。
大多数情况下，ESD二极管仍然存在于输出端，因为输出端 通常不需要过电压保护。
输入端的ESD单元仍然能够提供出色的ESD保护。使用此类 ESD单元的ADG5412F过电压故障保护四通道SPST开关的 HBM ESD额定值可达到5.5 kV。
对于IEC ESD (IEC 61000-4-2)、EFT或浪涌保护等更严格的情 况，可能仍然需要一个外部TVS或一个小型限流电阻。
图5.故障保护开关架构。
开关的一个输入端发生过电压状况时，受影响的通道将关 闭，输入将变为高阻态。其他通道上的漏电流仍然很小，因 而其余通道能够继续正常工作，而且对性能的影响极小。几 乎不用在系统速度/性能和过电压保护之间进行妥协。
因此，故障保护开关能够大幅简化信号链解决方案。很多情 况下都需要使用限流电阻和肖特基二极管，而开关过电压保 护消除了这种需要。整体系统性能也不再受通常会引起信号 链漏电和失真的外部分立器件限制。
ADI 故障保护开关的特性
ADI的故障保护开关新型产品系列采用专有高电压工艺打造 而成，能够在上电和未上电状态下提供高达±55 V的过电压 保护。这些器件能够为精密信号链使用的故障保护开关提供 业界领先的性能。
图6.沟槽隔离工艺。