基于MHVIC2115的射频功率放大器设计
时间:12-02
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该文首先介绍了MHVIC2115器件的特性。克服电路模型无法获取问题,采用S1P模型来仿真设计输出匹配电路。仿真结果表明其输出端口的S11小于一 24 dB,电压驻波比VSWR小于1.13,符合设计目标。最后在PCB设计时,提出改用金属支座来承载MHVIC2115器件,用于器件底面源极接地,改善 其导电、导热性,而且利于器件安装固定。
该文首先介绍了MHVIC2115器件的特性。克服电路模型无法获取问题,采用S1P模型来仿真设计输出匹配电路。仿真结果表明其输出端口的S11小于一 24 dB,电压驻波比VSWR小于1.13,符合设计目标。最后在PCB设计时,提出改用金属支座来承载MHVIC2115器件,用于器件底面源极接地,改善 其导电、导热性,而且利于器件安装固定。
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