非晶态半导体的阈值开关机理
时间:10-02
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4 结 语
非均匀模型论述了非晶态半导体的阈值开关在关态时,这些微晶体保持孤立状态,当晶体形成连续相、并具有较高的电导率时,即成为“开态”.器件的开关特性取决于导电丝的晶体形貌。热和热电理论给出“关态”时,在不同温度下,场强与电导率的关系。电子运动引起的开关过程,必须形成电流通道,通道中也将因焦耳热而引起温度上升,所以电子理论也必须包括由热导致的效应方能全面描述开关现象。
非均匀模型论述了非晶态半导体的阈值开关在关态时,这些微晶体保持孤立状态,当晶体形成连续相、并具有较高的电导率时,即成为“开态”.器件的开关特性取决于导电丝的晶体形貌。热和热电理论给出“关态”时,在不同温度下,场强与电导率的关系。电子运动引起的开关过程,必须形成电流通道,通道中也将因焦耳热而引起温度上升,所以电子理论也必须包括由热导致的效应方能全面描述开关现象。
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