电压关断型缓冲电路分析及设计方法
时间:09-15
来源:互联网
点击:
RCD Clamp电路参数选择及相关波形图
经计算得出:CC=815.87pF;RC=300.19k?实际中选取CC=1nF,Rc分别选取270k郊?00k剑?⑶曳直鹪谟蠷CD Clamp及无RCD Clamp下对比两者的实际效果。
图6为不加Clamp电路时开关管电压波形VDS,其端电压已超过600V;图7为Clamp电路中选取RC=270k剑珻C=1nF,端电压为474V。

图6 无Clamp 时的波形

图7 Clamp:270k+1nF的波形
可见,采用Clamp电路并选取利用公式计算出的数值,可使开关管端电压VDS有效地钳位到合适的电压水平,为实际所用。
结语
通过适当选取RCD Snubber 的电路参数,可有效地改善开关管的开关轨迹,降低其关断电压的上升速率,可以转移开关管的损耗至Snubber电路的电阻上,提高开关管的工作可靠性,同时改善电路的高频电磁干扰,但Snubber电路基本上不会提高整机的工作效率。
反激式变换器在开关管关断时,存在很高的电压尖峰,通过适当选取RCD Clamp的电路参数,可以对开关管实现电压钳位,避免因过高的电压尖峰使开关管受损。但是,因Clamp电路消耗了变压器漏感上的能量,从而在一定程度上影响了整机的工作效率。
经计算得出:CC=815.87pF;RC=300.19k?实际中选取CC=1nF,Rc分别选取270k郊?00k剑?⑶曳直鹪谟蠷CD Clamp及无RCD Clamp下对比两者的实际效果。
图6为不加Clamp电路时开关管电压波形VDS,其端电压已超过600V;图7为Clamp电路中选取RC=270k剑珻C=1nF,端电压为474V。

图6 无Clamp 时的波形

图7 Clamp:270k+1nF的波形
可见,采用Clamp电路并选取利用公式计算出的数值,可使开关管端电压VDS有效地钳位到合适的电压水平,为实际所用。
结语
通过适当选取RCD Snubber 的电路参数,可有效地改善开关管的开关轨迹,降低其关断电压的上升速率,可以转移开关管的损耗至Snubber电路的电阻上,提高开关管的工作可靠性,同时改善电路的高频电磁干扰,但Snubber电路基本上不会提高整机的工作效率。
反激式变换器在开关管关断时,存在很高的电压尖峰,通过适当选取RCD Clamp的电路参数,可以对开关管实现电压钳位,避免因过高的电压尖峰使开关管受损。但是,因Clamp电路消耗了变压器漏感上的能量,从而在一定程度上影响了整机的工作效率。
电路 电压 MOSFET 电流 IGBT 变压器 二极管 电容 电阻 电感 开关电源 相关文章:
- 整流电路(11-30)
- 单运放构成的单稳延时电路(11-29)
- 直流稳压电源电路(11-30)
- 基于ISP1581型接口电路的USB2.0接口设计(01-18)
- 单电源供电的IGBT驱动电路在铁路辅助电源系统中的应用(01-16)
- 为太阳能灯供电的低损耗电路的设计(01-22)
