基于PCI总线的GP-IB接口电路设计

下面根据状态机的流程图给出读、写操作时序分析与设计要点：  

PCI规范中定义了三种读写操作，即Memory和I/O读写及配置读写。本方案不支持I/O读写,只支持Memory和配置的读写，下面给出Memory映射方式的单周期仿真读写时序。

存储器写操作  

存储器单周期写操作时序如图4所示，当frame为低电平时启动读写操作，同时给出要写的目标地址ad[31..0]和命令cbe[3..0]＝7，cbe等于7表示写寄存器，从设备锁存命令和地址到缓冲区。在第2个clk，主设备将irdy变低，同时给出数据，状态机运行到6，锁存数据给缓冲区，trdy、devsel由高阻变为高电平。在第3个clk，devsel变低，给出主设备应答信号，表示从设备已经响应请求，状态机运行到7。根据写操作，target_we、target_ce变低，并对地址进行译码，放在地址总线上，同时驱动数据总线，表示在对控制芯片进行写操作。在第4个clk，检测到目标设备的target_ready_l为低电平，表示从设备已经做好接受数据的准备，状态机运行到8，将trdy变低。在第5个clk，状态机运行到9，trdy变高，同时主设备将驱动irdy变高，表示一个写周期结束。状态机运行到初始状态，等待下一次操作。target_ce、target_we将延迟变高，结束控制芯片写周期。   


图4 存储器写周期时序  

存储器读操作  

存储器单周期读操作时序如图5所示，当frame为低电平时启动读写操作，同时给出要写的目标地址ad[31..0]和命令cbe[3..0]＝6，从设备锁存该命令和地址。在第2个clk，状态机运行到6，进入读写等待状态，主设备将frame变高，表示单周期模式，trdy、devsel、由高阻变为高电平。在第3个clk,状态机运行到7，并给出应答信号devsel，检测到target_ready_l为高电平，状态机进入等待状态，直到为低电平，然后运行到读等待状态4。在状态机8，trdy变低，从设备将读数据放在ad[31..0]总线上。在状态机9，trdy变高，devsel变高，同时主设备将irdy变高，结束单周期读操作。devsel、trdy回到高阻状态，状态机运行到初始状态，准备下次操作。  

  
图5 存储器读周期时序  

结语  
本设计占用芯片的资源少，可移植性强，根据设备不同的需求可以进行设计更改，在很多测试仪器中都得到了广泛的应用。