HID灯镇流器的空间和成本节约方案

时最大限度地减小如增加导通电阻等负面效应。 特别是，极大改善了其峰值反向恢复电流Irr，不再会引起器件故障。 此外，其dv/dt抗干扰性能是普通MOSFET的两倍多。 因此，在击穿dv/dt模式下可承受两倍以上的电流压力。图2展示了UniFET II MOSFET系列、传统MOSFT（FQPF9N50C） 和分立式快速恢复二极管（BYV28X-500）的反向恢复性能。 显然，UniFET II MOSFET系列的反向恢复特性优于传统MOSFET，甚至优于快速恢复二极管（FRD） 的反向恢复特性。

　　图2：反向恢复特性

　　镇流器的性能测试结果

　　为了验证UniFETTM II MOSFET系列的有效性，使用包括混合频率逆变器的150W室内HID灯镇流器进行实验。 镇流器的逆变器电路与图1相同。低频臂由2个IGBT组成，其工作频率范围为60Hz~120Hz. 另一个臂的工作频率范围为30kHz~110kHz. 采用普通MOSFET和FRD的传统解决方案与UniFET II MOSFET系列之间的击穿电流对比结果如图3所示。在传统解决方案中，反向恢复电流的峰值是11.44A. 而UniFET II MOSFET系列反向恢复电流的峰值是10.48A.

　　图3：瞬态下的穿通电流对比

　　结论

　　UniFET II MOSFET系列具有更佳反向恢复特性，如快速恢复时间和低反向恢复电荷。 因此，可去除混合频率逆变器系统中防止故障所需的4个额外二极管。 实验证明UniFET II MOSFET系列可提高混合频率逆变器的系统可靠性，由于去除了额外的二极管，因此可节省电路板空间和制造成本。