EMI滤波器设计原理

则P1=V12/Z，P2=V2 2/Z。式中V1是噪声源直接加到负载上的电压，V2是在噪声源与负载之间插入电磁干扰滤波器后负载上的噪声电压，且V2《《V1.代入（1）式中得到：

　　AdB=20lg（V1/V2） （2）

　　插入损耗用分贝（dB）表示，分贝值愈大， 说明抑制噪声干扰的能力愈强。鉴于理论计算比较烦琐且误差较大，通常是由生产厂家进行实际测量，根据噪声频谱逐点测出所对应的插入损耗，然后绘出典型的插入损耗曲线，提供给用户。图5给出一条典型曲线。由曲线见，该产品可将1MHz～30MHz的噪声电压衰减65dB。

　　计算EMI滤波器对地漏电流的公式为：

　　ILD=2πfCVc （3）

　　式中，ILD为漏电流，f是电网频率。以图1为例，f=50Hz，C=C3+C4=4400pF，Vc是C3、C4上的压降，亦即输出端的对地电压，可取Vc≈220V/2=110V。由（3）式不难算出，此时漏电流ILD=0.15mA。C3和C4若选4700pF，则C=4700pF&TImes;2=9400pF，ILD=0.32mA。显然，漏电流与C成正比。对漏电流的要求是愈小愈好，这样安全性高，一般应为几百微安至几毫安。在电子医疗设备中对漏电流的要求更为严格。

　　需要指出，额定电流还与环境温度TA有关。例如国外有的生产厂家给出下述经验公式：

　　I=I1&TImes;［（85-TA）/45的根号2次方］

　　式中，I1是40℃时的额定电流。举例说明，当TA=50℃时，I=0.88I1；而当TA=25℃时，I=1.15I1。这表明，额定电流值随温度的降低而增大，这是由于散热条件改善的缘故。

　　3.2 测量插入损耗的方法

　　测量插入损耗的电路如图6所示。e是噪声信号发生器，Zi是信号源的内部阻抗，ZL是负载阻抗，一般取50Ω。噪声频率范围可选10kHz～30MHz。

　　首先要在不同频率下分别测出插入前后负载上的噪声压降V1、V2，再代入（2）式中计算出每个频率点的AdB值，最后绘出插入损耗曲线。需要指出，上述测试方法比较烦琐，每次都要拆装EMI滤波器。为此可用电子开关对两种测试电路进行快速切换。