LinkSwitch导致电磁兼容性问题，工程师何以解忧？

中 为共模扼流圈由于两个绕组不对称引起的电感差值)为

2.2 变压器尖峰电压抑制

LNK 内部集成的MOSFET在高速开关时，使高频变压器的原边漏感储存的能量释放，产生的尖峰电压与原来的方波叠加有可能影响开关的正常工作或直接损坏 LNK。一般为了抑制这种高压尖峰，采用的是缓冲或钳位的方法。如图1中的起到的就是这种作用。当开关管截止时，电容被充电，电容两端的电压“缓慢”上 升，抑制了开关管上的电压变化和尖峰电压的产生。而当开关管导通时，由于电阻的存在，限制了开关管导通时的电流峰值。由于开关管工作频率较高以及LNK内 部的MOSFET的漏极击穿电压为700V故钳位二级管故应采用耐压为600V以上的快速恢复二级管，钳位电容 则应采用 的金属薄膜电容。

2.3 输出整流二极管尖峰抑制

对输出整流二极管产生的反向恢复噪声，可以通过在二极管两端并联RC缓冲器来抑制，也可以通过在二极管串联一个饱和电感来抑制。并联的RC缓冲器起 到一阶滤波器的作用，根据需要滤除高频噪声。串联的饱和电感在整流二极管导通时工作在饱和状态下，相当于导线;在整流二极管关断反向恢复时，工作在电感特 性状态下，可以阻碍电流的大幅度变化。

2.4 其他措施

1. 对整流电路采用无源功率因数校正法来降低谐波成分并提高功率因数;

2. 对变压器进行屏蔽来减少其漏感带来的辐射;

3. 对电路板进行合理设计，LinkSwitch应尽量远离交流输入端，尽量减小高频变压器初次回路所包围的面积。

3 结语

抑制开关电源的干扰是开发应用型开关电源的一个重要的课题。本文就不同的干扰源提出了针对性的解决方法，并就原电路的EMI仿真曲线重新设计了电路 的参数，改进后的电路基本符合GB9254标准。文末提出的几种工艺改进的方法都能对开关电源的电磁干扰问题起到进一步的作用,这些都对开关电源的电磁兼 容设计具有一定的参考意义.