ROHM在“功率元器件”的发展与“电源IC技术”的变革

作的5V电压。

一体化封装电源是作为"所有的部件集成于1枚芯片"的IC连接目标的中间产品。我们预想，电源部所使用的高耐压和大电流的功率元器件、大容量电容及支持大电流的线圈确实无法在21世纪单芯片化。罗姆积极致力于走在22世纪前端的一体化封装电源的开发，敬请期待未来罗姆具有前瞻性的的产品阵容。

今后

而在罗姆提出的四大发展战略^注13中，其中之一便是"强化以SiC为核心的功率元器件产品"。其实，罗姆在功率元器件领域的不断发展中，为推进节能减排，罗姆也一直致力于以新一代元件碳化硅（SiC），氮化镓（GaN）为原材料的产品的研发，并已陆续推出了适用于不同业界的各种解决方案，利用高新技术将这两种"理想器件"植入生活的各个层面。通过在高效化、大电流化、高耐压化、小型化、模块化等各个方面的研发，带来更多精彩的呈现。

＜术语解说＞

注1：SJ-MOSFET

超级结MOSFET的缩写。即超级结金属氧化物场效应三极管。

注2：MOSFET

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor的缩写。即金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

注3：双极晶体管

又称双极型晶体管(Bipolar Transistor)，由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。

注4：肖特基势垒二极管（SBD）

肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode,缩写成SBD）是一种热载流子二极管。

注5：快速恢复二极管（FRD）

快速恢复二极管（Fast Recovery Diode,缩写成FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管。

注6：二极管(Di)

又称晶体二极管,简称二极管(Diode,缩写成Di)，是一种具有单向传导电流的电子器件。

注7：齐纳二极管

又称稳压二极管,是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。

注8：SiC

Silicon Carbide的缩写。即碳化硅，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。

注9：GaN

即氮化镓，属第三代半导体材料，六角纤锌矿结构。

注10：LDO

Low Dropout Regulator的缩写。即低压差线性稳压器。

注11：DC/DC转换器

是转变输入电压后有效输出固定电压的电压转换器。

注12：FET

Field Effect Transistor的缩写。场效应晶体管，简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。属于电压控制型半导体器件。

注13：四大发展战略

2008年罗姆于创立50周年之际，面向未来50年提出发展战略。其中包括：

（1）相乘战略：罗姆将融合模拟IC及LAPIS Semiconductor的数字LSI技术，开拓汽车、工控市场。

（2）功率元器件战略：以SiC为核心的元器件技术及依据功率IC的控制技术，以及将二者合二为一的

模块技术，融合这三项技术，不断为节能环保做出贡献。

（3）LED战略：以LED照明为核心，从LED贴片、驱动IC到电源模块提供综合性的LED综合解决

方案。

（4）传感器战略：罗姆于2009年将MEMS加速度传感器的供应商Kionix公司纳入集团，以世界顶级

的产品阵容，满足传感器市场的各种需求。

关于罗姆（ROHM）
罗姆（ROHM）是全球著名半导体厂商之一，创立于1958年，是总部位于日本京都市的跨国集团公司。"品质第一"是罗姆的一贯方针。我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难，都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品，并为文化的进步与提高作出贡献。

历经半个多世纪的发展，罗姆的生产、销售、研发网络遍及世界各地。产品涉及多个领域，其中包括IC、分立元器件、光学元器件、无源元件、模块、半导体应用产品以及医疗器具。在世界电子行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。

罗姆十分重视中国市场，已陆续在全国设立多家代表机构，在大连和天津先后开设工厂，并在上海和深圳设立设计中心，在上海和香港设立品质保证中心，提供技术和品质支持。