国内半导体未来的希望：寒武纪

业内巨头DRAM销售额达44.3亿美元，比上季度增长了30.1%。

其中三星电子销售19.8亿美元，比上季度增长36.5%，SK海力士销售13.7亿美元，增长28.2%，两家企业市场份额合计占到全球的75.9%。美国美光销售10.6亿美元，增长22.0%。

下图是2017年第一季度的全球市场份额，三星+SK海力士份额为73.5%，美国美光为21%，三巨头为94.5%，剩下的台湾三家厂商南亚科、华邦、力晶占了4.6%，全球其他公司占了0.9%。

全球六强之外，在这个仅仅0.9%的市场份额里面，有一家中国小公司，北京矽成控股的ISSI，这是一家设计公司，在全球DRAM市场排在第八位，不过这个第八位，几乎可以忽略不计。

而在NAND Flash市场，DRAMeXchange的数据显示，三星、东芝、闪迪、海力士、美光和英特尔几乎垄断了全球100%的市场。尤其是三星和海力士，合计占了全球几乎一半的份额。

我们可以明显的看出，在DRAM和NAND FLASH领域，中国几乎没有存在感，在这个领域要突破，还是需要靠国家队。

2015年7月，中国紫光集团曾经向全球第三大DRAM厂商——美国美光科技，提出230亿美元的收购要约。结果被拒绝，背后就是美国政府的阻挠。

目前存储器自主研发的国家队是紫光集团控股的长江存储。

2016年7月26日，长江存储公司成立，紫光集团拥有51%的股份，另外的股份由国家大基金持有25%，湖北省地方政府的基金持有24%，武汉新芯公司为长江存储的全资子公司。

武汉新芯公司是湖北省和武汉市政府2006年为了进军集成电路制造领域而成立的研发+制造一体的企业，实际上武汉新芯2014年底已经和美国的Cypress半导体公司开始联合研发NAND Flash技术，但是业界并不看好，因为NAND Flash被三星、海力士、东芝、美光四家垄断。

不要说新芯公司研发实力不足，因此通过和Cypress和共同研发，武汉新芯已经有一部分的自主研发力量，虽然非常弱小，但这是中国自主研发存储器的火种。

长江存储成立之后，由于大量资金注入，在坚持自主研发的同时，开始大量从台湾和韩国挖人。现在的武汉新芯约1200人，另外，长江存储成立至今也招募将近700人，共计1900人左右。长江存储目前研发人员总共约500人，其中台湾人约50名。

目前长江存储的重心放在3D NAND flash的开发上面，同时也在推进20/18nm的DRAM开发。

NAND Flash肯定是长江存储最先量产的产品，因为传统2D转3D NAND技术后，半导体机台设备几乎都要换新，所以这时候投入是对的，每一个存储器阵营都站在同一个出发点。

而DRAM技术，每转进新一代制程技术仅增加20%的半导体机台设备，意思是，既存的半导体大厂的多数机台设备都已经折旧光了，新加入DRAM技术的人去买新设备来生产，成本非常贵，竞争力会很差。从这个角度而言，中国要做好在存储器领域长期烧钱的准备。

长江存储现在研发进度如何？根据长江存储CEO杨士宁介绍，其32层3D NAND芯片顺利实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证，通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求，2017年底将提供样片，继续向64层3D NAND发展，乐观估计2019年量产。

目前韩国三星已经在2017年量产64层NAND，可以看出中国和韩国的技术差距在2年，2年看似很短，其实在竞争激烈瞬息万变的市场，已经是极大的差距了。抗韩将是长期的进程。

但是，大家也不要觉得韩国半导体不可战胜，事实上，韩国人在半导体领域表现强势的也就是NAND FLASH和DARM存储器领域，以三星为首的韩国公司早在上个世纪九十年代就开始了存储器的研发，早了我们二十年，我们要想超过他们，当然必须付出时间的代价，这个时间不是三五年，能够十年追上就已经非常了不起。

另外，韩国虽然存储器强大，但在存储器以外的其他领域，除了三星手机自产处理器和基带芯片外。由于都不是大集团研发，韩国的芯片设计产业在中国的冲击下衰退非常严重。

以2017年上半年为例，根据韩国媒体Business Korea的报道，在韩国上市的韩国前15大IC设计公司中，有10家上半年营业利润出现下降，50%的企业出现亏损，营收和利润都增长的只有两家。

因此，全球目前只有中国在疯狂地投入存储器的研发和制造，韩国人在存储器领域未来被颠覆，只有可能是被中国，确切的说的是长江存储公司。

未来的希望：寒武纪

为什么要特别提一下寒武纪，人工智能是人类所有产业发展的大势所趋，在这个领域，专用芯片将会成为未来的主流。几乎所有的ICT科技公司，不管是国内的百度、阿里、腾讯、华为，还是美国的谷歌、facebook、亚马逊、微软都在朝人工智能方向发展。

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