高转换速率CMOS模拟缓冲器电路攻略

非常适合用来驱动大的电容负载，假定低电阻负载能减小缓冲器的整体增益。，因此，它是精确的。

　　图3 在图2中模拟缓冲器的直流传输特性

　　仿真结果：图2中的模拟电压缓冲器已经在0．35uCMOS工艺设计实现。工作电源电压是1．5V，偏置电流是10uA，负载电容是lOpF。

　　图3给出了具有失调电压的所提出的模拟缓冲器的DC传输特性。正如期待的那样，rail to rail特性达到了。图4给出了图2电路的大信号瞬态响应。特别指出的是，输出电压揭示了高的转换速率是由于在输入级的AB类操作。但是，最大电流与通过输出晶体管的静态偏置电流的大的比率证实了所提出的方法导致了低功耗和高的驱动能力。

　　对于DC输人电压等于零仿真，开环增益和单位增益频率大约为54dB和6．1MHz。增益值相对低是由于电路是单增益级。增益一带宽值的是以增加输入差分对的偏置电流为代价的。因此，增大了功耗。对于2．4VPP 100kHz输入正弦信号，可以得到-44.6dB的ATHD．当输入电阻没有按比例减小时，所提出缓冲器的仿真电容要降低32fF。

　　图4在图2中模拟缓冲器对于为2．4VPP频率为1MHZ方波输入信号10pF负载电容的大信号瞬态响应

　　a输入和输出电压 b通过输出晶体管的电流

　　提出了减小输入电容的轨到轨电压缓冲器。轨到轨操作不仅在电路的输出端，同样在电路的输入端实现。所介绍电路的AB特性导致了低功耗和高的转换速率，使它很适合驱动大的电容负载。仿真结果已经提供了该电路的操作。

　　本文创新点：提出了减小输人电容的轨到轨电压缓冲器。轨到轨操作不仅在电路的输出端．同样在电路的输入端实现。所介绍电路的AB特性导致了低功耗和高的转换速率，使它很适合驱动大的电容负载。仿真结果已经提供了该电路的操作。