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WLCSP封装在机械性能方面的特异性

时间:07-17 来源:电子产品世界 点击:

M层和焊球组件具有不同的热膨胀系数,这会在聚合物层上产生应力,在某些极端情况下,甚至还会导致聚合物层破裂,并有可能最终曼延到BEoL栈。BEoL的最上层是钝化层,是由氧化物层和氮化物层组成,前者是化学污染保护层,后者则用于预防机械应力。如果钝化层受损,裸片就会受到各种形式的污染,导致电气失效。因此,必须精心设计BEoL远端层(RDL、焊球和聚合物)。RDL层的密度及其布线需要分布均匀。聚合物及其沉积方法的选择对于器件的可靠性也很重要。图5描述了某些典型缺陷。

图5:[A]焊球靠近钝化层而引起聚合物层破裂的顶视图[B]在整个栈内出现破裂的BEoL远端层和BEoL层的横截面

解决这些问题需要我们深入了解相关结构和专用的优化方法。

3. 有限元法数值分析

本文重点介绍扇入型封装配置。需要说明地是,某些分析结果同样适用于扇出型封装解决方案(例如,焊球附近结构)。

数值模型

我们使用Ansys的商用软件进行了有限元法分析。第一步是创建一个3D封装模型,以了解WLP封装的应力分布区域。我们探讨了焊球附近和裸片边缘附件的应力分布情况。出于对称性考虑,只描述封装的四分之一(图6)。

图6:有限元法3D扇入型封装模型 [A] 独立封装 [B] 组装好的封装

第二步是简化BEoL层和聚合物层的建模,用一个20D模型进一步探讨各层之间的相互作用(图7)。这个栈包括四个顶层共行覆膜的金属层和一个标准的密封环结构。为避免数值错误,所有配置均保持网格不变,并根据结果分析材料性质。

图7:有限元法2D模型包括标准密封环和聚合物层末端

我们对两个模型都施加了225°C至25°C的热负载,模拟回流焊工序,并做了一个线弹性分析。

我们可以考虑独立封装(图6 [A])和安装在主板上的封装(图6 [B]) 两种封装工艺。本文主要讨论前者,让读者初步了解WLCSP封装的特异性。

BEoL层应力如图8所示。在这样一个配置中,因为焊球和外围器件的热膨胀系数失匹,每个焊接区都会发生类似的应力问题。此外,在裸片外围可以看到聚合物层边缘的影响(见图8中的箭头)。因此,我们已开始怀疑聚合物、焊球和裸片边缘的相互作用。需要指出的是,在这个层面,应力的产生唯一原因是本地的热膨胀失匹,而与封装尺寸大小无关。

图8:BEoL区的S1 应力分量(MPa) - 独立配置(顶视图 – 重点分析封装角部)

一旦组装到主板上后,应力区域特性接近在标准倒装片配置上观察到的应力区域[10]。在最外层焊球区域观察到应力最大值,因为最外层焊球到中性点(DNP)(即封装中心)的距离最远(图9)。我们还观察到,焊球下面的应力分布受焊球至封装中心的相对位置的影响。因此,压缩力和拉伸力区域方向随焊球位置不同而变化。

图9:BEoL区的SZ 应力分量(MPa) - 组装到主板上的封装 (顶视图)

与独立封装相比,已焊接的焊球使焊盘受到更大的应力。不过,无论封装尺寸多大,裸片和聚会物边缘受到的应力都会保持不变。

聚合物层

聚合物边缘可选用两种设计策略,锥体或直接沉积方法,具体选用哪一种方法,取决于第二层聚合物止于第一层薄膜之前还是之后。我们从机械学角度评测两个配置,在BEoL区域内,沿裸片对角线提取应力值(图10)。因为关注点放在了聚合物边缘,所以图中只给出了封装的角部受力情况。如前文所述,在BEoL区能够观察到焊球的影响(见图中的反复出现的图形)。此外,正如我们所预想的,在聚合物边缘发现了应力最大值,不过,应力的影响只限于这个区域。有限元分析显示,与锥体沉积法相比,直接沉积法的应力更高,这是因为前者边缘处聚合物厚度较大。两种沉积方法导致厚度相差大约5% (图10 (B))。

图10:[A] 直接配置和锥体配置的BEoL层和聚合物层应力分布图[B] BEoL栈周围应力变化(见应力提取通道图[A]上的灰箭头) (独立封装配置)

在决定了边缘设计方法后,我们需要确定在BEoL栈上发生较低应力的准确位置。为此,我们测试了各种位置:平坦区(图11 #1, #4)、密封环(图11 #6)上方、钝化拓扑底部不同位置(图11 #2 #3 #5)。

图11:有聚合物的配置与无聚合物的配置之间的应力变化。在SiN钝化层内提取拉伸应力Sy。不同配置间的应力差异主要出现在聚合物边缘。

鉴于聚合物末端在BEoL栈上产生拉伸性负载,确定选项#6为首选。因此,密封环的‘锚定’特性可限制其潜在的不利影响。为辨别结构差异,关注点放在钝化层应力上。

不出所料,发现两个大类:第一类

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