射频宽带低噪声LC VCO

运用台积电(TSMC)0.35 μm SiGe BiCMOS进行工艺设计，并实验验证了一种集成多波段、低噪声的差分BiCMOS LC VCO。所设计的VCO采用开关电容阵列和开关电感，以达到加宽频带的目的；另外优选LC谐振腔负阻跨导，使之工作在最佳振荡状态；另外，文中选用高Q值的MEMS多层片上螺旋电感，有效地降低了Nphase值。对所设计的LC VCO先进行了版图优化设计，优化措施包括降低闩锁效应、抑制寄生电容等，然后做了工艺流片和硬件电路以及仿真实验。比较实测结果，从而说明了所设计的 LC VCO可工作在6种频率范围内，从最低频率1.9 GHz到最高频率5.7 GHz，为连续的宽带调谐范围。与文献[1-2]中的VCO相比，所设计的VCO拓宽了频带，当中心频率为2.4 GHz时，在偏离中心频率1 MHz处的实测Nphase值为-111.64 dBc／Hz，比文献[1-2]中的VCO有所降低；当电源电压为3.3 V时所设计的VCO的实测核静态电流约为1.8 mA，而起振时延-功耗积则降为355.6 pJ，因而验证了设计工作的正确性。